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[参考译文] ISO5452:ISO5452

Guru**** 2520930 points
Other Parts Discussed in Thread: ISO5452

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/891746/iso5452-iso5452

器件型号:ISO5452

先生们:

我正在使用 ISO5452驱动器芯片为电机驱动设计三级中性点钳位(NPC)逆变器。 逆变器由 SiC MOSFET/二极管组成。

当我达到特定的输出电流电平时、似乎遇到了错误的 DSAT 跳闸。 当 Q1 (相脚中的顶部晶体管)关闭时、DSAT 跳闸发生。 DSAT 感测电压开始上升、因为 DSAT 二极管(连接到 MOSFET 的漏极)需要一段时间才能阻断电压(TRR 的额定值为75ns)。 在此期间(20-25V)、电压确实会非常高、并且很明显会使芯片断开。 似乎是负载电流的函数。 也许由于该电压超过 Vdd 电压(19)、这也会导致问题?

我已经尝试使用12V 齐纳二极管来钳制该电压、如应用手册 ISO5452tiduc70a 所示。 这不奏效。 齐纳二极管可能太慢。

我还尝试将 RST 引脚绑定到 IN+进行自动复位、这样可以在关断期间使芯片保持在复位状态、正如数据表10.2.2.6第30页上的"自动复位"说明所建议的(顺便说一下、 原理图与文字内容不匹配、我没有遵循原理图所示内容)。 但这似乎不会阻止它跳闸。

有什么建议或意见?

谢谢。

Richard ***

Microchip Inc

(949) 280 5076

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    您好 Richard、

    您可以在 DESAT 和 VCC2之间添加肖特基二极管、以便在瞬态期间钳制高电平电压、以防其超过 VCC2电平。 肖特基比齐纳二极管更快。 此外、您还可以看到、如果将消隐电容器从 DESAT 增大到 GND2以生成更慢的消隐时间、则该短脉冲将阻止 DESAT 检测跳闸。 当然、电容器必须足够小、以满足实际 DESAT 检测的总时序要求。

    您使用的是 DESAT 二极管是什么?

    什么是串联电阻和消隐电容?   

    关于使用 nRST 引脚的自动复位、只有在故障已经锁存且经过一段短时间间隔后才复位故障才有意义。 当 µs 到 DESAT 时、内部电路将输入静音5 μ s。 仅当 RDY 在静音时间后恢复高电平后、才可以复位 FLT。 该序列如图46所示。 nRST 不能用来防止 DESAT 故障首先触发。 禁用 DESAT 的唯一方法是将引脚 GND2短接。

    如果您在尝试这些修改后仍遇到问题、请告诉我。

    此致、

    Audrey  

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    谢谢 Audrey、

    我使用的 DSAT 二极管为:CD1408-FF11000。

     如数据表所示、串联电阻为1k。

    消隐电容为220pf、并且根据数据表的建议、消隐电容上还有一个肖特基二极管(SS16)。

    我将尝试您对肖特基二极管的建议、将 DSAT 信号钳制到 VCC2。

    我将告诉您它是如何工作的。

    谢谢、

    Richard

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    抱歉。 遗憾的是、这没有解决问题。 我想问另一个有关 DSAT 操作的问题:如果检测到 DSAT、锁存关断之前是否需要最短时间? 是前面提到的5us 吗? 如果是这样、如果检测到持续时间小于5us (或一些 Tmin)的 DSAT、芯片是否会关闭输出、然后重新打开? 谢谢、Richard ***

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    您好 Richard、

    很遗憾听到这种情况不起作用。 我假设您能够将 DESAT 引脚上的电压钳制到允许的电平、但它在一段时间内仍超过阈值电压? nFLT 引脚是否仍然变为低电平? 您是否有一些可以共享的测量结果、其中显示了 DESAT 引脚上的波形?

    DESAT 引脚上有一个毛刺脉冲滤波器、通常为330ns 延迟。 因此、DESAT 电压必须超过阈值电压超过 TDS (GF) 330ns、才能锁存并启动软关断。 软关断时间取决于您的负载电容。 在我们的数据表中、我们指定了从10nF 负载下 VOUT 降至10%的2us 关断时间。 同时、在大约5us 后才能重置驱动器、该时间在 DESAT 锁存后开始。 tMUTE 之后、现在可以使用 nRST/EN 引脚复位驱动器。

    此致、

    Audrey