先生们:
我正在使用 ISO5452驱动器芯片为电机驱动设计三级中性点钳位(NPC)逆变器。 逆变器由 SiC MOSFET/二极管组成。
当我达到特定的输出电流电平时、似乎遇到了错误的 DSAT 跳闸。 当 Q1 (相脚中的顶部晶体管)关闭时、DSAT 跳闸发生。 DSAT 感测电压开始上升、因为 DSAT 二极管(连接到 MOSFET 的漏极)需要一段时间才能阻断电压(TRR 的额定值为75ns)。 在此期间(20-25V)、电压确实会非常高、并且很明显会使芯片断开。 似乎是负载电流的函数。 也许由于该电压超过 Vdd 电压(19)、这也会导致问题?
我已经尝试使用12V 齐纳二极管来钳制该电压、如应用手册 ISO5452tiduc70a 所示。 这不奏效。 齐纳二极管可能太慢。
我还尝试将 RST 引脚绑定到 IN+进行自动复位、这样可以在关断期间使芯片保持在复位状态、正如数据表10.2.2.6第30页上的"自动复位"说明所建议的(顺便说一下、 原理图与文字内容不匹配、我没有遵循原理图所示内容)。 但这似乎不会阻止它跳闸。
有什么建议或意见?
谢谢。
Richard ***
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