德拉先生。
我想确认计时器电容器(CTimer)的值。
请提供您的建议。
我的保管人将1uF 作为计时器电容器(CTimer)。
连接 EVM、设计计算器、该值看起来小于该值。
电容器是否有建议值范围?
2.如果充电(拉电流)时间过长,会产生太多热量。
数据表定义了最小15uA 和最大值 35uA。
我想知道 在较高温度下电流会减小还是增大?
3.如果您对放置大电容有另一个顾虑、请告诉我。
此致、
H. Sakai
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
德拉先生。
我想确认计时器电容器(CTimer)的值。
请提供您的建议。
我的保管人将1uF 作为计时器电容器(CTimer)。
连接 EVM、设计计算器、该值看起来小于该值。
电容器是否有建议值范围?
2.如果充电(拉电流)时间过长,会产生太多热量。
数据表定义了最小15uA 和最大值 35uA。
我想知道 在较高温度下电流会减小还是增大?
3.如果您对放置大电容有另一个顾虑、请告诉我。
此致、
H. Sakai
尊敬的 Rakesh-San。
客户的系统状况是:
-输入电压:24.5V
-RL:0.3欧姆
-电流限制设置:20A
-计时器:1uF (160ms)
在上述条件下、他们确认了计时器周期为272ms、而计算值为160ms。
他们问为什么会有很大的差异。
正如您提到的、FET 的 SOA 非常重要。 您是指1uF 值电容器还是160ms
考虑到现有 FET 的 SOA、计时器周期不适用?
此致、
H. Sakai
尊敬的 Rakesh-San。
非常感谢您的支持。
我要求客户提供您所指的信息、但没有
已获得。
我相信计时器功能将很简单、可以使用来执行充电和放电
外部电容器。 如果为 true、则计时器周期在之后变得如此长不会产生任何结果
原理图或设置检查。
此时、我想确认保护二极管的特性。
根据数据表、保护二极管位于计时器引脚的 GND。
例如、分立式 SBD 具有反向电流(IR_LEakage)、并且具有热系数。
我猜它会影响计时器周期更长、尤其是在较高温度下。
是否可以确认保护二极管的 IR 和 热系数?
您无需保证、设计规格就足够了。
这取决于结果、但可以在不加载检查的情况下得出最终答案。
此致、
H. Sakai
您好、 Sakai-San、
计时器拉电流范围为15uA 至34uA、典型值为25uA。 这种变化考虑了所有工艺、温度和内部电路容差。
对于1uF 计时器电容、典型计时器周期为160ms;最大计时器周期为266ms、最小计时器周期为 117ms。
您能否分享更多详细信息...
BR、Rakesh