如何在 采用 D2PAK 封装的功率 MOSFET CSD19535KTT 中实现良好的热抑制？
与 MOSFET 的基极面积相比、我将增大 PCB 上的铜面积、例如10%、20%、30%等。
同时、当我能够获得良好的热阻抗点时？ 此外、我还想知道当我们继续增加 PCB 上覆铜的面积时、如何找到热抑制的饱和点。
当 PCB 上的铜面积增大时、热传递会产生什么影响？
此致、
Jnaneswar
Jnaneswar、
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有一 篇特别的技术文章值得您特别关注、文章的标题是"为您的应用选择合适的功率 MOSFET/电源块封装"
本文介绍了典型应用中各种 MOSFET 封装的典型功率耗散能力。 但是、如文章所述、请记住、MOSFET 可以耗散的功率量在很大程度上取决于各个 PCB 设计和热环境。 气流越多、过孔越多、PCB 层越多、铜越厚、意味着 PCB 的热阻越低、PCB 中的散热越多。
但愿这对您有所帮助
Jnaneswar、
遗憾的是、TI 没有提供应用手册。
我在互联网上进行了快速搜索、发现了这篇可能由 IEEE 使用的论文。
另一种实现方法是使用 FloTHERM 等热建模软件。
Jnaneswar、
希望您可以读取该图像。
