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器件型号：TPS40200 您好！
我看到该主题讨论 TPS40200的栅极驱动电压变化、具体取决于 P 沟道 FET 的寄生电容。
它说、如果我们使用具有小寄生电容的 PCH FET、栅极驱动电压可能会超过 GDRV 引脚的绝对最大额定值(VIN-10V)。 还说过、我们需要在 P 沟道 FET GS 之间放置一个8V 的齐纳二极管、以保护驱动器。
我想知道、
1．栅极驱动电压因 P 沟道 FET 的寄生电容而变化的根本原因是什么？
2 μ s P 沟道 FET 的．(或最大)寄生电容是否有任何明确限制，以使 VGATE (VDD–VGDRV)保持在6V 至10V 之间？
(我在 TPS40200的 D/S 上找不到它)
关于问题2、如果您没有定义的限制、
这是否意味着我们基本上应该在 P 沟道 FET G-S 之间放置一个8V 齐纳二极管、以防止因超过 GDRV 引脚的绝对最大额定值而造成损坏？
此致
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