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[参考译文] CSD25501F3:栅极电阻和 TD 规格

Guru**** 2380170 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD25501F3
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/899938/csd25501f3-gate-resistance-and-td-spec

器件型号:CSD25501F3

您好、专家、

CSD25501F3在 G 引脚到栅极之间具有栅极电阻 RC (10kohm)+ Rg (33ohm)。

客户感觉太大了。 他们 认为、上升时间和下降时间将长于数据表规格。

  下图 是否正确?

您能否告诉我以下 TD 参数的最小值和最大值?

谢谢

穆克

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    Muk San、您好!

    感谢您向客户推广 TI FET。 开关时间仅在产品开发期间对来自3个批次的样本进行特性化测量、我们不对最小值或最大值进行规格或保证。 您可以在 TI.com 上 MOSFET 登录页面的"Support & training (支持与培训)"选项卡下找到更多详细信息。 单击"Understanding MOSFET data sheets (了解 MOSFET 数据表)"、您将看到一个开关参数链接。 我无法在此处分享特征评定数据、但会通过电子邮件向您发送更多详细信息。

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    您好、John-San、

    感谢您的回答! 我收到了您的电子邮件 谢谢。

    您能不能就10kohm 栅极电阻发表意见?

    穆克

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    尊敬的 Muk San:

    10kohm 栅极钳位电阻器允许该器件具有-20V 的绝对最大 VGS 额定值。 栅源 ESD 二极管充当击穿电压为~6V 的齐纳二极管。 10kohm 电阻器可限制电流、从而限制栅源钳位二极管中的功率耗散。