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[参考译文] LP5907:热降额

Guru**** 2387080 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/872812/lp5907-thermal-derating

器件型号:LP5907

您好:

 我司客戶要求堤供LP5907MFX -18的功率耗散對應环境温度的關係圖 ̊ C、請提供 ̊ C

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的用户6261364:

     任何 LDO 的功耗为(VIN-VOUT)*ILOAD。  例如,如果 VIN 为5V,VOUT 为3.3V,ILOAD 为100mA,则耗散的功率为(5-3.3)*0.1或170mW。  

    在 TI、我们参考 JEDEC 热性能标准。 JEDEC 高 K 电路板的结果如下所示:

    为了使用此信息、使用 RJA 来预测 PCB 环境上方的潜在热上升。 因此、对于上述示例、具体取决于所使用的封装。 裸片结温为 RJA*0.17W。 假设 X2SON 封装的温度比 PCB 环境温度高26.1*0.17或36.7C。 这意味着如果 PCB 的工作温度为40C、那么裸片温度将为~76.7C。

    PSIJT 上方圈出的第二个参数可用于验证应用中的温升。  

    此处提供了任何 LDO 热性能的良好参考

    但愿这对您有所帮助。