主题中讨论的其他器件:CSD19534Q5A、 PMP9563
您好、先生、
我们在一些示例中发现了 PoE 故障问题。我们的初步分析是次级侧对地短路的高侧 MOSFET (Q803)。 更换新的 MOSFET 后,PoE 可以正常输出。
当 PoE 喷油器快速或重复插入/拔出 DUT 时、会发生此故障现象。
您是否知道 MOSFET 为何对地短路? 如何解决此问题?
已附上故障波形和 PoE 原理图文件。
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您好、先生、
我们在一些示例中发现了 PoE 故障问题。我们的初步分析是次级侧对地短路的高侧 MOSFET (Q803)。 更换新的 MOSFET 后,PoE 可以正常输出。
当 PoE 喷油器快速或重复插入/拔出 DUT 时、会发生此故障现象。
您是否知道 MOSFET 为何对地短路? 如何解决此问题?
已附上故障波形和 PoE 原理图文件。
陈建忠、
可能是由于关断期间的电压尖峰而导致 FET 断开。 您可以 在这些关断期间测量串联 FET 的 VDS 以捕获峰值电压。 如果是这种情况、则可以使用额定值更高的 FET 或将 DCR 和 RC 缓冲器放置在串联 FET (Q803)上来解决。
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此致、
Michael P.
应用工程师
应用工程师
您好、Michael、
感谢您的回答。
我看到 TI 参考设计(PMP9563 REV A)、它还使用相同的 FET (CSD19534Q5A)和 FET VDS 额定电压为100V、但此参考设计没有任何 DCR 或 RC 缓冲电路预留。
那么、您以前在 EVB 或其他客户上看到过相同的 FET 问题吗?
您的意思是"关断"是指喷油器插拔、还是 FET 关断?
此外,初级侧死区时间增加是否可以避免 FET 在关断期间出现电压尖峰?
您好!
为缓冲器选择"正确"值可能具有挑战性。 基本做法是选择一个与谐振电路的特性阻抗等效的缓冲器。 通常、这将为您提供一个良好的开始位置(如果您可以计算)、但对于寄生效应和元件容差、必须对其进行调整。
我发现、使用过去用于类似设计的工具、然后根据需要进行调整更容易。 在12V ACF 中、我看到电阻器和1nF 电容器的电阻为5欧姆。
此外、DRC 缓冲器可与 RC 缓冲器并联、以便在需要时进一步抑制信号。
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此致、
Michael P.
应用工程师
应用工程师