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[参考译文] TPS23754:PoE PD 无法输出12V 电压。

Guru**** 1101210 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19534Q5A, PMP9563
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/889281/tps23754-poe-pd-cannot-output-12v

器件型号:TPS23754
主题中讨论的其他器件:CSD19534Q5APMP9563

您好、先生、

我们在一些示例中发现了 PoE 故障问题。我们的初步分析是次级侧对地短路的高侧 MOSFET (Q803)。 更换新的 MOSFET 后,PoE 可以正常输出。

当 PoE 喷油器快速或重复插入/拔出 DUT 时、会发生此故障现象。

您是否知道 MOSFET 为何对地短路?  如何解决此问题?

已附上故障波形和 PoE 原理图文件。

e2e.ti.com/.../DL5P1_5F00_EVT_5F00_PoE_5F00_circuit.pdf  

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     陈建忠、

    可能是由于关断期间的电压尖峰而导致 FET 断开。 您可以 在这些关断期间测量串联 FET 的 VDS 以捕获峰值电压。 如果是这种情况、则可以使用额定值更高的 FET 或将 DCR 和 RC 缓冲器放置在串联 FET (Q803)上来解决。

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    此致、  

     

    Michael P.

    应用工程师

    应用工程师  

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    您好、Michael、

    感谢您的回答。  

    我看到 TI 参考设计(PMP9563 REV A)、它还使用相同的 FET (CSD19534Q5A)和  FET VDS 额定电压为100V、但此参考设计没有任何 DCR 或 RC 缓冲电路预留。

    那么、您以前在 EVB 或其他客户上看到过相同的 FET 问题吗?

    您的意思是"关断"是指喷油器插拔、还是 FET 关断?

    此外,初级侧死区时间增加是否可以避免 FET 在关断期间出现电压尖峰?   

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    您好、Michael、

    下图是二次侧 Vgs 波形,它在 ch3上显示了一个步骤,此步骤是否正常?

    谢谢。

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    您好、Michael、

    此图是插入注入器动作,VDS 的电压尖峰约为58V,应小于 FET 规格。

    我知道添加 DCR 或 RC 缓冲器可以提高电压尖峰、但该尖峰不应导致 FET 击穿。   

    这种直流转换器正向架构是否存在在 PoE 喷油器快速插入/拔出 DUT 时 FET 击穿风险,还是重复出现?  

    图2:

    一般而言,这种电压尖峰(振铃)会很容易地导致辐射噪声发射,对吗?  

    谢谢。

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    您好!

    改变死区时间将略微改变电压尖峰。  
    断电期间、该尖峰位于漏极-源极上。 如果尖峰位于 FET 裕度上、则快速插入和拔出电源将暴露这种情况。  

    我建议在关断期间测量 VDS。 然后、我们可以决定问题是否出在这里。  

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    此致、  

     

    Michael P.

    应用工程师

    应用工程师  

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    您好、Michael、

    关断波形图中的 VDS 如下图所示,Q803上的该尖峰非常高,我认为我们应该在 VD(Q803)上添加缓冲器以改善该尖峰。

    您能帮助计算缓冲器的 R/C 值吗?

    谢谢。   

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    您好!

    为缓冲器选择"正确"值可能具有挑战性。 基本做法是选择一个与谐振电路的特性阻抗等效的缓冲器。 通常、这将为您提供一个良好的开始位置(如果您可以计算)、但对于寄生效应和元件容差、必须对其进行调整。   

    我发现、使用过去用于类似设计的工具、然后根据需要进行调整更容易。 在12V ACF 中、我看到电阻器和1nF 电容器的电阻为5欧姆。  

    此外、DRC 缓冲器可与 RC 缓冲器并联、以便在需要时进一步抑制信号。  

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    此致、  

     

    Michael P.

    应用工程师

    应用工程师