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器件型号：BQ25619 你(们)好。
在 我们进行 BQ25619设计时、提出了几个问题：
- 如果我们不使用升压功能、那么 PMID 引脚的最佳端接是什么？
- 如果我们理解正确：
- 如窄 VDC 架构段落中所述、电池充电电压完全由降压工作电压点 SYS 控制(至少当 VBAT >最小系统电压+ 180mV 时)。 在这种情况下、BATFET 完全导通、并且降压转换器在电流调节中运行、只要它处于充电的 CC 部分-这是正确的吗？
- 但在 DPM 期间、当需要降低充电电流以优先为 SYS 负载供电时、用于控制 ICHG 的机制是什么-它是在具有电流调节模式的 LDO 模式下运行的 BATFET？
- 在本例中、为 VSYS 设置了什么电压点？ 它是否会增加以为 BATFET 的 VDS 增加留出余量？
- 如果未连接电池、芯片的行为是什么？ 例如 ，VSYS 的电压点是多少？
此致、
Mickael
