This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ24610:当输入低于设定的电池电压时、BQ24610无法输出

Guru**** 2418940 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24610

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/884918/bq24610-bq24610-cannot-be-output-when-the-input-is-lower-than-the-set-battery-voltage

器件型号:BQ24610

大家好、我的项目设计中有一个问题。 当使用 BQ24610输入15V 且电池电压为12.6V 时、充电过程中没有问题。
(1)当电池电压等于11.1v 的输入电压时、系统将不工作;当输入电压低于12.6V 时、没有电池或电池损坏时、 或者电池未充电、当输入电压为10V 时、系统将不会加载。 此外、根据规格/ACDRV、VGS 的电压应为6V。 在我的实际测试中、PMOS 的开-关 VGS 为1-3V。 如果电池电量耗尽或电池电量耗尽或没有电池、则无法加载系统。 为什么 Q2不起作用?
(2)如果输入电压大于12.6V、则 Q1和 Q2 PMOS 的 VGS 为5V、该值应为6V、如规格所示。 我想问 Q1和 Q2之间差异的原因。
(3)我想问、使用肖特基二极管替代 Q1和 Q2是否可行、使用肖特基二极管替代 Q3是否可行、以及应采取哪些预防措施?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、用户:

    1. BQ24610是一款降压电池充电器、可将输入电压降至稳定的输出电压。 降压充电器不能在100%占空比下运行、因为需要对 BTST 电容器进行充电以使 HSFET 保持开启状态。 为了防止这种情况发生、BQ24610使用睡眠比较器、如果检测到的输入电压满足睡眠下降条件、该比较器将禁用转换器。 要退出睡眠模式、输入电压必须根据睡眠上升阈值规格上升到高于电池电压。 这些可在第8页数据表的电气特性表中找到。 欠压:睡眠比较器(反向放电保护)。 如果没有电池、BQ24610会使用电池不存在检测功能、其中 SRN 保持在充电调节电压(通过 VFB 处的电阻分压器设置)、同时打开内部灌电流和拉电流、以确定是否已连接实际电池、或者是否仅连接了输出电容。 因此、即使您没有电池、如果输入电压低于配置的充电调节电压、您也会进入睡眠状态。
    2. Q1和 Q2的 VGS 应在6V 驱动、因为这是 REGN 的值。 当输入电压(感应到接近 IC)和 SRN 之间存在1V 差值时、您能否测量 REGN 电压和 VGS?
    3. 您可以使用肖特基二极管替换 Q1和 Q2 (输入反向阻断 FET)、并使 ACDRV 悬空以降低成本。 缺点是肖特基二极管将具有正向压降,因此,与输入反向阻断 FET (RDSON*输入电流)相比,连接适配器时,您将会有相当大的功率损耗(肖特基二极管的输入电流*正向压降)。

    您能否说明您将哪个 FET 称为 Q3?  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好:(1)当电路正常运行时、REGN 的电压为6V、VGS 为5V、当输入低于设定的电池电压时、REGN 为1V 至3V。(2) Q3是规范中用于电池和主开关的 PMOS 管。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、用户:

      当 μA 低于电池电压时、您将处于睡眠模式、并且 BQ2461x 将启用 BATFET 并进入低静态电流(<15 μ A)睡眠模式、从而更大限度地减少电池的电流消耗。

     如果用肖特基二极管替换 PFET,则适配器未连接时的效率损失相同,因为现在 SYS 由电池缓慢供电,因此功率损耗将是肖特基二极管正向压降*SYS 负载电流,而不是 PFET 的系统负载电流*Rdson。 如果不使用 Q3、则 BATDRV 可保持悬空。