[参考译文] UCC28951：2kW OBC 设计-如何在调试期间修复谐振问题

您好、Prm、

一位专家很快会回来的！

您好、Prm、

我向您提供以下建议。

• 如果必须使用高达230kHz 的频率、我建议您使用 UCC28951轻负载突发模式功能来降低 MOSFET 开关损耗。
• 增加纤薄电感器值、以帮助在负载低于以前的情况下实现 ZVS。
• 检查死区时间是否足以使 MOSFET 输出电容放电、如果不足以使其放电、请增加死区时间。

您好、Prm、

您是否能够评估我提供的建议？ 您在这个问题上是否有任何进展？

尊敬的 David：

感谢您的建议。

现在测试中有很大的改进。

以下是我们所做的主要修改。

1)自适应延迟实现- Adel 现在与 CS 连接。

2) 2)死区时间电阻更改为15k Ω

3) 3) Rsum 电阻器更改为18千欧-之前我们使用的是90千欧、这会在增加负载时引起一些干扰。 然后、我们得到了所需的300mV/us 斜率补偿。 但是、从磁化部分来看、斜率仅为32mV/us。 因此、我们减少了 Rsum 电阻器、以实现额外的斜率补偿。

现在、我们能够将输入电压提高到380V、而不会产生很大的散热、即 MOSFET、器件中没有故障。

我已附加最近在8安培负载条件下的结果。

现在、我们处于谐振调优阶段。

现在、我们的问题是 A 和 B MOSFET (相同的桥臂)在80°C 以上会产生更多的散热

但 C 和 D MOSFET 的热耗散非常小。

我们使用热风枪来观察温度。

请检查波形、并告诉我们仅在 A 和 B MOSFET 中产生热耗散的原因可能是什么。

e2e.ti.com/.../PSFB_5F00_Load_5F00_testing_5F00_05_5F00_11_5F00_2020.xlsx

您好、Prm、

对于 PSFB 拓扑、一个桥臂很容易实现 ZVS、另一个桥臂不太容易实现 ZVS。

在您的测试条件下、我想 MOSFET A 和 B 仍然无法实现 ZVS。 请使用 MOSFET A 或 B 的 VGS 和 VDS 进行双次确认、以查看其是否实现 ZVS。

如果这只是 ZVS 问题、我建议增大细长电感器值以在此处提供帮助。 您可以增加电感器以降低输出功率、从而让所有 MOSFET 实现 ZVS。

尊敬的 David：

我们将检查 MOSFET A 和 B 的 VDS 和 VGS

请核对并回答以下所有问题：

1) 1)     在漏极和源极之间连接外部电容器以实现谐振是好的还是坏的–请提供您对连接外部电容器的意见

2) 2)     我们不使用 MOSFET 进行次级整流。 目前、我们仅使用二极管进行次级整流。 这会影响 ZVS 吗？

3) 3)     请发送 VGS 和 VDS 的示例波形并实现 ZVS–这有助于我们对波形进行交叉验证

4)     4)我们尝试增加垫片电感器–它减少了 A 和 B MOSFET 中的散热–但垫片电感器的温度将高于90°C–我们使用的是环形磁粉芯铁芯–垫片电感器中的散热更多可能是什么原因

5) 5)     根据数据表中的计算使用垫片电感器值时、我们不符合 ZVS 标准。 这样做的原因可能是什么？

尊敬的 David：

感谢您的回答。

在您提出建议后、我们有了很大的改进。

我们还在显著的负载条件下实现了 ZVS。

现在、当我们增加负载时、MOSFET 上的热耗散非常小。

但现在我们的问题是垫片电感器上的热耗散。

匀场电感器部件号： 3301-V-RC - 10uH 20A 环形电感器

我们减少了匝数、使其达到 2.7uH 、从而能够实现 ZVS。

在这种情况下、当输出中加载10A 时、匀场电感器的温度上升到75°C 以上。

因此、我们无法进一步增大负载、因为它可能会导致垫片电感器出现故障。

请指导我们如何设计或选择垫片电感器。 请在您的视图中推荐任何合适的器件。

如果有垫片电感器设计的设计文档、请发送。