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[参考译文] TPS63710:SW 节点振铃

Guru**** 656470 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS63710
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/947512/tps63710-sw-node-ringing

器件型号:TPS63710

大家好、团队成员。

我使用 TPS63710设计了一个12V 输入电压-5V 输出电压电路。

SW 节点处的振铃很大、我们正在考虑采取对策。

我将附上原理图和布局图、您有什么想法吗?

使用缓冲器时、是否应将 RC 置于 SW 节点和 GND 之间?

此致、

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    小林-圣

    您可以查看数据表图54以了解 C392和 C394的位置。 您可能需要更改这些电容器的尺寸、以便更好地适应 IC 引脚。 请先尝试更改此值、看看这是否有助于减少 SW 节点偏差。 虽然下冲看起来很高、但分压的比例是多少? 为了减少下冲和过冲、可能需要从 VIN 到 SW 和 SW 到 GND 的缓冲器。 设计过程通常是实验性的、您可以遵循以下方法: e2e.ti.com/.../1781.RC-Snubber.pdf

    谢谢、

    模块

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    您好、Amod。

    C392使用与数据表相同的2.2uF 0603尺寸。

    它被放置在最短的距离、不能再靠近。

    C394是一个 VAUX 电容器、它是否会影响振铃?

    由于 TPS63710具有特殊拓扑、因此在切换到-Vin 时、抑制振铃的最佳缓冲器位置是什么?

    此致、

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    小林-圣

    您的正确答案是、由于 TPS63710具有独特的反相拓扑、缓冲电路的放置 方式可能与  标准降压拓扑不同、 但经过一些仔细的分析和仿真、我能够确认可以使用上面提到的相同方法 Amod。

    仿真显示、尽管 RC 缓冲器从 Vin 到 SW 或 SW 到 GND 有改进、但在两个位置都使用缓冲器时、我会看到最佳结果。

    此致、

    -Matt

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    您好、Matt。

    我还使用 EVM 进行了测量、得出的结果与所附结果相同。
    我将尝试 Snubber、但是否有推荐容量?
    我在 SW 和 GND 之间尝试了100pF 和10Ω μ F 的电容、但几乎没有效果。

    此致、

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    Hirotsugu-San、

    RC 缓冲器设计 手册中所述、"在开关间隔期间、MOSFET 上可能会产生振铃、这是开关的非理想特性以及布局中的寄生元件引起的。"  因此、需要根据 PCB 设计专门调整 RC 缓冲器组件的尺寸。  因此、最佳做法是遵循报告中详述的步骤、因为尺寸不正确的缓冲器不会完全抑制谐振铃。

    在添加 RC 缓冲器电路之前、振铃的谐振频率是多少?

    您能否尝试在 SW 和 GND 之间仅添加1或2nF 电容器(不带电阻器)、并让我知道 振铃频率/周期是否发生变化?

    根据这些结果、我们应该能够更好地调整 RC 值。

    谢谢、

    -Matt

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    Matt - San、

    随附带和不带缓冲器的波形。
    在1nF 时证实了某种影响。

    由于 SW 和 VIN 之间的距离很长、因此很难在此处放置缓冲器。

    我尝试在 CP-VIN 之间进行测试、结果与 SW-GND 之间的效果相同。

    CP 和 VIN 之间的缓冲器是否有效?

    此致、

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    Hirotsugu-San、

    是的、在此架构中、您可以将缓冲器放置在 VIN-CP 而非 VIN-SW 之间。

    我的 silms 在 VIN-CP 和 VIN-SW 之间使用缓冲器时表现出类似的性能、但请注意、为了获得最佳性能、您需要在 SW-GND 之间放置缓冲器。

    此致、

    -Matt

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    Matt - San、

    谢谢你。

    我修改原理图、在 SW-GND 和 VIN-CP 之间放置一个缓冲器。

    此致、

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    Matt - San、

    我已经验证了缓冲器的影响。
    我们已经确认了 SW 节点从0V 摆动到-Vin 时的影响、但从-Vin 摆动到0V 时波形变暗。
    负载电流约为20mA。

    连接缓冲器时、波形为何会变暗?
    沉闷的波形有什么影响?

    此致、

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    Hirotsugu-San、

    我在内部得到的反馈是、外部缓冲器电路会在内部栅极驱动控制电路中引起额外的延迟、从而确保 LSD FET 在 RECT FET 将 SW 从内部拉至 GND 之前完全关闭。  因此、效率损失极小、但否则不会引起任何问题。

    此致、

    -Matt