[参考译文] TPS23754：TPS23754 EMI

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器件型号：TPS23754

您好、先生、

我的客户使用 TPS23754 12V2.5A 设计遵循(slv4c)。

我们在30M~50MHz (空载)下存在 EMI 问题。

您有什么意见可以做吗？

另外、L3可以更改电感器值？

我们还尝试使用相同的电感器值、但较低的 DCR 可以提高 EMI、但这还不够。

谢谢、Ian。

0 admin 5 年多前

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您好 Ian、

这是非常高的频率噪声、远高于 IC 的开关频率。

EMI 的一个因素是共模电流。增加共模电容器以提供帮助。移除它们也会有所帮助、但这会使设计易受浪涌损坏的影响。

最大的因素之一是布局。如果他们可以使用 EMI 监听器尝试确定电路板的哪些部分辐射最大。请让客户查看此 EMI 指南：

另一种方法是使用/增加 EMI 扼流圈或铁氧体磁珠。两者均可串联使用。

另一个需要了解的重要内容是测试设置是一切。

最后、了解这种拓扑有四个开关 FET、因此总体 EMI 性能将更加困难。您可以尝试向 FET 添加缓冲器、以减少漏极上的振铃。

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此致、

Michael P.

应用工程师

0 admin 5 年多前

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您好、Michael、

感谢您提供信息。

对于 FET、减少振铃的位置是低于4个圆圈的位置？

谢谢、Ian。

0 admin 5 年多前

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您好 Ian、

您圈出的组件控制 FET 时序。它们会影响 EMI、但我讨论的是添加缓冲器。

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此致、

Michael P.

应用工程师

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