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[参考译文] BQ76925:PNP 晶体管的增益

Guru**** 2668435 points

Other Parts Discussed in Thread: BQ76925

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/952632/bq76925-which-gain-is-meant-at-pnp-transistor

器件型号:BQ76925

你(们)好

我们希望在其中一个器件中使用 BQ76925。 但我们需要在3.3V 时提供大约20mA 的电源电流。 由于芯片只能提供4mA 电流、我们需要一个外部晶体管。 数据表(第13页)指出、可以使用 PNP 晶体管或 PMO。 条件是高增益。 这两个组件在控制方面非常不同。
使用 PNP 晶体管时、增益为电流增益 IC (集电极电流)=β(增益)* IB (基极电流);使用 MOSFET 时、漏极电流取决于栅极-源极电压 id ~ delta (增益)* UGS (栅极-源极电压)。 哪种增益是精确的?

谢谢

Fred

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Fred、

    "高增益"是一个相对的术语、对于 PNP 而言似乎具有更直接的含义。  对于 P 沟道 FET 情况、流经 RVCTL 电阻器的电流会为 FET 栅极产生电压。  由于数据表未提供更精确的晶体管所需行为说明、 因此建议选择与9.1.1.3低压降(LDO)稳压器中所述晶体管类似的晶体管。