This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/952296/tps62260-damage-of-internal-low-side-mosfet
您好！
如果内部低侧 MOSFET 被损坏并且输出端子和 GND 短路、可能的原因是什么？
此致、 加藤
您好 Kato、
FET 损坏的原因有多种。
首先、请检查设计是否符合数据表建议。
请确保不违反建议的工作条件。
如果您可以提供有关应用的更多详细信息、例如原理图、测量图等、调试将更容易。
此致、
Febin
大家好、Febin-San、
对于内部低侧 FET 的损坏、您能否告诉我您经历过的一般性问题的根本原因？
请检查是否超过了数据表中给出的绝对最大额定值。 请检查所有引脚、尤其是 SW 引脚。
感谢您的支持。
我想通过私人消息与您分享加电期间的屏幕截图。 那么、您能否接受我的友谊请求？
感谢您的批准。
我刚刚通过私人邮件发送了详细信息。 所以、请检查一下。
谢谢！
