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器件型号：BQ25713 大家好、
我们已使用 BQ25713为我们的4S 电池配置开发了定制板。 几天前、在测试我们的定制板之前、我们在 EVM 上进行了一些实验、结果很好。 当我们需要在电路板上运行相同的寄存器配置时、我们发现 由 HIDRV1驱动的 MOSFET RQ3E100BNTB 损坏。 因此、我们决定验证我们的设计、并且从设计点看没有发现任何问题、因为它几乎与 EVM 设计相同。
将其发布到 TI 论坛后、我们没有收到任何可行的建议。 今天、我们决定替换 FET 并进行实验。 此时 FET 未损坏。 但是、当我们将配置写入 BQ25713时、会得到确认、当我们将其读回时、会得到与我们配置完全相同的确认。 但是、HIDRV1和 LODRV1处的信号为低电平。 当仅连接电池时、它会按预期通过 PMOS 连接到 VSYS。
我们无法确定缺少充电问题。 因此、我们要想用新的 BQ25713替换它并进行测试。 如果您有任何建议、将会对我们有所帮助。
提供了更多原理图背景信息。
谢谢、Prithvi
