[参考译文] MC33063A-Q1：使用 P-MOSFET 的反极性保护

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器件型号：MC33063A-Q1

您好！

我们使用 P 沟道 MOSFET 保护输入电源免受反极性的影响。我们参考了多个文档、最终在漏极/源极连接上出现了混乱。在某些情况下、电压输入连接到漏极、负载连接到源极、但在其他情况下、电压输入是相反的。我想知道哪种方法是正确的。

我以 SNVA717 为例、

1. VIN 连接到 MOSFET 的漏极

2. VIN 连接到 MOSFET 源极

提前感谢！

0 admin 5 年多前

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您好 Tylor、

感谢您发帖。第一个图是针对电池反极性的保护。在第二个图中、PFET 使用浪涌电流限制器、保留极性保护由 DBLK 实现。

谢谢、

应用工程学 Yohao Xi

0 admin 5 年多前

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您好，Youhao，

在这两个电路中、MOSFET 都将获得输入电压、但根据用例、在不同的引脚漏极和源极上。在第2个电路中、电压再次施加到源极、负载连接到漏极。在哪个引脚上连接电压输入和在其他引脚上连接负载的最佳方法是什么？

我们设计了一个电路来保护系统免受反极性和过压的影响。请检查并告知我们是否需要任何更改。

D88 -齐纳36V 击穿电压

D89 - 18V VBR

我们还需要您提供有关 LC 滤波器计算或组件值的建议。 DCIN 将为12-28V、系统将消耗高达10A 的电流。

谢谢！

0 admin 5 年多前

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您好 Tylor、

如前所述、左侧的 FET 用于反极性保护、其中 PFET 的漏极连接到电池。右侧的 ET 用于首次应用电池时的浪涌限制。其电源需要连接到面向电池的一侧。

谢谢、

Youhao

0 admin 5 年多前

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您好、Youhao、

我们现在更好地了解了 FET 连接、但不了解我们将在论坛中提出的另一个问题 LC 滤波器。

谢谢！ )

此致、

Tylor

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