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[参考译文] TPS54386EVM:MLCC 电容的直流偏置

Guru**** 1744610 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS54386EVM
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/949745/tps54386evm-dc-bias-for-mlcc-cap

器件型号:TPS54386EVM

客户希望使用实际选择的组件对环路增益/波特图进行仿真。 我们知道、需要在直流偏置电压中考虑陶瓷电容损耗。 在 TPS54386EVM 上、我们可以看到环路增益响应的应用曲线。 是否考虑了 MLCC 的直流偏置电压? 或者它没有考虑它?

我们很困惑、是否需要在环路增益响应性能的实际计算中考虑电容损耗? 请就此提供帮助。   

此致

Brian W

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    您好、 Brian  

    1.是的、波特图考虑了在直流偏置电压下降低的电容。  

    2.是的、 环路响应必须考虑电容损耗。  

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    谢谢。

    我们认为直流偏置电压降额并未考虑此 TPS54386EVM 上的电容损耗、对吧? 怎么回事?

    对于补偿、计算出的频率。 根据 Bom 的 L&C 组件、为6.79Khz。 (在 d/s 中、它需要在6kHz 至7kHz 的范围内、以实现优化的补偿)。 因此、在该 EVM 上不应考虑 MLCC 组件的直流偏置降额。

    我们对此感到困惑、请对此提供帮助。 非常感谢。   

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    您好、Brian  

    考虑到电容损耗、我认为 EVM 设计不是很好。   

    我认为我们必须 在所有设计中考虑电容损耗。  

    感谢您指出这一点。