[参考译文] TL1963A：热设计帮助

您好、Mark、

听说他们已经在规划多个散热过孔、这一点很好、客户经常会错过、并且会产生重大影响。 如果最高环境温度为45C、则可能会与两个串联的 LDO 脱离。 我建议将第一个 Vout 设置为10.2、以便最小 Vin-Vout=600mV、从而使其远离压降、并在 Vin 增加到13.2V 时降低第一级的功率耗散。 因此、在最坏的情况下、我们将具有2.4W 的功耗(1.2A*[13.2V-10.2V])、JEDEC 高 K 电路板的 RJA 为32.9C/W。 因此，如果使用 Tj=Ta+PD*RJA，则会导致最高结温为124C，使其保持在最高工作温度以下。  

但是、对其电路板的描述似乎可能比 JEDEC 高 K 电路板更好、我们的数据表明、通过良好的热布局、RJA 可以降低~30%( 如果您有兴趣、请参阅此应用手册)。 虽然热通路最好以电气方式连接到更多金属、但如果内部层在过孔内和周围有大量金属、那么该金属仍然有助于减轻热量负担。 假设30%的改进会导致最高结温为99C。  

因此、它们的最高结温应介于99C-124C 之间、并保持在规格范围内。 最后需要考虑的是 LDO 在这些扩展温度下运行的频率(这是 Vin=13.2V 时应用1.2A 电流的频率以及环境温度在45C 最大值时的频率)。 目录 IC 使用 JEDEC 标准 JESD22-A108 和 JESD85进行认证、该标准确保 IC 可在 Tj=55C 下运行大约9年、但寿命会随着温度的升高而降低(这种情况经常被忽略)。 为了让您了解结温对 IC 寿命的影响、下图显示了基于 JEDEC 标准的最小寿命与结温间的关系。  

如果您有任何其他问题、请告诉我。