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器件型号：CSD18532NQ5B 我测量了 MOSFET 的温度外壳(Tcase = 92°C)、环境温度为60°C、此外、我知道 MOSFET 在此条件下的功率损耗等于1.054W
如何计算 MOSFET 的结温？
谢谢、
Lorenzo
我测量了 MOSFET 的温度外壳(Tcase = 92°C)、环境温度为60°C、此外、我知道 MOSFET 在此条件下的功率损耗等于1.054W
如何计算 MOSFET 的结温？
谢谢、
Lorenzo
您好 Lorenzo、
感谢您的查询。 下面的链接指向一个介绍 TI MOSFET 热阻抗的博客。 对于该器件、数据表中指定的 RthetaJC 是在封装背面的散热焊盘上测量的。 这是从封装中去除热量的主要路径。 尽管我们没有将 RthetaJC 规格设计到封装顶部、但仿真显示 CSD18532NQ5B 的温度约为8摄氏度/瓦。 您可以使用外壳温度测量以及热阻抗来估算结温、如博客中所示。 如果在封装背面的散热焊盘处或附近测量外壳温度、则由于热阻抗较低、结温将在外壳温度的几度以内。 即使您测量封装的顶部、结温仍在~10摄氏度以内。
您好 Lorenzo、
假设所有耗散的功率都已从封装顶部移除、计算结果似乎是正确的。 实际上、将功率想象为电流、它将在顶部外壳和底部外壳这两个路径之间进行分配、热阻充当电流分压器、如我之前的答复中的博客图1所示。 更多的耗散功率(热量)通常通过封装背面的散热焊盘进入 PCB、然后进入环境。 如果我们假设60/40在底部和顶部之间分摊、则计算出的外壳到结温上升略低。
