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[参考译文] LM5106：LM5106 Schmatic 评论

admin
Guru**** 2389600 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5106
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/897972/lm5106-lm5106-schmatic-review

器件型号：LM5106

大家好、

我的客户使用 LM5106作为驱动器来设计分立式降压充电器电路。 请参阅随附的原理图

控制信号来自充电器控制器 UC2909。 如果 LM5106驱动器电路有问题、您可以帮助查看吗？谢谢。

e2e.ti.com/.../Charge_2D00_UC2909.pdf

此致、

韦恩

  • 0
    TI__Guru**** 2389600 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Wayne、

    所列 MOSFET 的 Qg 为96nC。 根据 LM5106数据表指导、Cboot 由以下公式确定：Cboot=Qgtotal/delta VHB。 当目标增量 HB 为1V 时、Cboot 仅为 Cboot=96nC/1V 或96nF。 100nF 应该足够了、但我们通常建议为电容器容差添加一定的温度和电压裕度。 最好考虑增加到150nF 或220nF。

    建议 VDD 电容为10x Cboot、对于100nF、1uF 正确。 如果增加 Cboot、则相应地增大 VDD。 10欧姆的栅极驱动网络和关断二极管看起来适合初始评估。

    确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

    此致、