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[参考译文] TLV733P-Q1:TLV73312PQDBVRQ1热问题

Guru**** 2386610 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/895293/tlv733p-q1-tlv73312pqdbvrq1-thermal-issue

器件型号:TLV733P-Q1

大家好、

 TLV73312PQDBVRQ1是否   可在以下应用中正常工作?

  • 输入电压5V
  • 输出电压1.2V
  • 输出电流为200mA
  • 温度-40℃至85 ̊ C

Power=(5-1.2)*0.2=0.76W

0.76W*198.3=150℃>125℃。 它太高了...它怎么能正常工作?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Amelie:

    对于任何 LDO、SOT-23封装都无法耗散大量功率。 没有电源板可帮助消除芯片上的热量。 如果您切换到 DRV 封装、它将在您描述的应用中更好地工作。 为什么要更好呢?因为如果应用的温度可以高达85C,那么0.76W*92.5是70.3,而当添加到85时为155.3。   

    如果可以将 Vin 更改为3.3V,那么我们有(3.3-1.2)*0.2= 0.42W,因此,采用 DRV 封装时,热升仅比最大环境温度85°C 高38.85°,最大温度为123.85°。 虽然这似乎微不足道、但上面的 TJA 数字基于 JEDEC 标准高 K 电路板。 以下 应用手册 展示了正确的布局如何改善热指标。 请注意、这仅适用于带电源板的封装、因为在 SOT-23封装下增加铜的好处很小。

    但愿这对您有所帮助。