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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/893953/lmg1210-lmg1210-half-bridge-mosfet-and-gan-fet-driver
您好、
我在独立输入模式(IIM)下使用 LMG1210。 我想确认 LMG1210是否适用于 HB 和 HS 上的负轨电压？ 根据数据表、只要 HB-HS < 5.5V、它就应该能够切换。但是、在将其纳入我的应用之前、我想确认它。 我要附加电路的一个片段。 我将仅使用不带自举的高侧。 感谢您的任何帮助。
谢谢、
Karan
您好、Karan、
再次感谢您在 e2e 上的关注、您答对了。 Lmg1210的负电压能力受 HB-HS 电压和自举二极管正向电压的限制、但是、如果未使用自举、则 HB-HS 电压应保持在大约5V、如您所说的那样、用于高侧驱动器。 例如、使用-13V 总线电压(当 VSS=0V 时)、则不能使用自举二极管(由于 BST 额定电压超出规格)。 如果 HS 为-13V、则 HB 应该为-8V、就像您所拥有的那样。 如果需要在没有自举的情况下为高侧 FET 供电、则在 BST 引脚悬空时需要为 HB-HS (例如相对于 HS 的 LDO)提供隔离式电源。 如果您有任何疑问、请告诉我。
