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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/893645/ucc24624-parallel-mosfet-driver-capcbility-consult
大家好、
我的客户希望使用 UCC25640x+UCC24624来执行1.3kW 20V/65A 应用。 他们希望使用 UCC24624来驱动 次级侧的两个并联 MOSFET、从而提高输出功率。 我们可以在这种应用中使用该器件吗？ 客户应考虑哪些方面？
BR、
CL
您好、Charles、
感谢您关注 UCC24624双 SR 驱动器。
通常、只要考虑特定方面、每个驱动器输出都可以驱动多个 MOSFET。 所有并联 MOSFET 的总栅极电荷必须流经每个驱动器输出、并且两个输出都从 VDD 获得该栅极电荷。 IC 内部电路还需要大约1~2mA 的电流才能工作、因此必须计算 IC 内的总功率损耗。 然后使用封装热阻抗数据来估算控制器结温上升。
请注意、IC 内并非所有栅极驱动功率都会损失、但其中的大部分是损失的。 假设它由20V 输出供电、因此内部9.5V 稳压器将下降10.5V。 如果这是一个固定输出电压应用、并且您可以在加电时实现体二极管整流 、直至输出电压大于~15V、则 可以将一个10~12V 齐纳二极管与 VDD 串联、以减轻这种损耗。 当然 、也需要考虑齐纳损耗。
每个并联 MOSFET 将需要一个串联栅极电阻器、以防止 栅极之间出现高频 LC 振铃。 每个电阻器的阻值可能在5~10 Ω 之间、也可能在那里。 一些栅极功率将在这些电阻器内以及 FET 本身的内部栅极电阻内耗散。 这也有助于稍微减少 IC 损耗。
如果封装的 Tj 上升幅度过大、请考虑尽可能减小 MOSFET 以降低栅极电荷。 请勿使 MOSFET 过大、因为 SR 控制器无论如何都依赖于50mV 的 VDS 调节、因此过大是浪费精力。 否则、您可能需要 为每个 MOSFET 对使用单独的驱动器(如 UCC24612)来散热。
此致、 Ulrich
