[参考译文] UCC27212：4A/4A 驱动器和3.5A/2.5A 驱动器之间 MOSFET 和栅极驱动 IC 的功率损耗差异

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Other Parts Discussed in Thread: UCC27212, UCC27284

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器件型号：UCC27212
主题中讨论的其他器件： UCC27284

您好！

我们的客户对我们的栅极驱动器 IC 有一些疑问。

由于电路板布局问题、他们将使用 UCC27212进行其第一个原型设计。
然后、他们会在下一个原型中将其更改为 UCC27284或 UCC27272、因为他们希望将 VCC 降低至大约6V。

UCC27212是4A/4A 驱动器、而 UCC27284/282是3.5A/2.5A 驱动器。
他们想知道驱动电流差如何影响 MOSFET 和栅极驱动 IC 的功率损耗。

问题1)
他们想知道使用 UCC27212和使用 UCC27284/282之间的 MOSFET 功率损耗是否有差异。
它们使用三个 QG=73nC (6V 时)和 RG=0.6 Ω(典型值)/1.1 Ω(最大值)并联的 MOSFET、分别用于低侧和高侧。
外部栅极驱动电阻为1欧姆、所有3个 MOSFET 共用该电阻。

问题2)
他们还想了解 UCC27212和 UCC27284/282之间栅极驱动器 IC 本身的功率损耗是否存在差异。

此致、
OBA

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2502205 points

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您好、Oba、

感谢您为您的客户提供 UCC27212和 UCC27284支持。基于栅极驱动器电流的 MOSFET 损耗差异取决于多种因素、包括影响 VDS 上升和下降时间的 MOSFET 的动态寄生电容以及动力传动系统中的峰值电流等

UCC27284的额定值实际上相当保守、因此性能可能会优于数据表中典型2.5/3.5A 的建议值。要根据数据表中的典型电流估算 Vgs 上升和下降时间：对于4a dt、dT = DQ/I、对于219nC 的总 Qg、将为54ns。对于2.5A dt 为87ns 上升时间、对于3.5A dt 为62ns 下降时间。

两个驱动器的总栅极驱动损耗相同、PgD= VDD x Qg 总计 x Fsw。这取决于 HO 和 LO 连接 MOSFET 的开关频率、VDD 和总 Qg。 IC 中的栅极驱动功率耗散量存在差异。这取决于栅极驱动器内部电阻和外部栅极电阻、后者会拆分栅极驱动器功率。

IC 中耗散的栅极驱动功率由 PD= PgD x RGD/(RGD + Rgate + Rgfet)决定、其中 RGD 是栅极驱动器中上拉和下拉电阻的平均值、Rgate 是外部栅极电阻、Rgfet 是 MOSFET 内部栅极电阻。 UCC27284具有1.3 Ω 的上拉电阻和0.85 Ω 的下拉电阻、平均值为1.08 Ω。 UCC27212的上拉电阻为2.3欧姆、下拉电阻为1.3欧姆、平均电阻为1.8欧姆。因此、UCC27212将在总栅极驱动功率中消耗更高的百分比。但总栅极驱动功率是相同的。

确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

此致、

电源管理（参考译文帖）

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[参考译文] UCC27212：4A/4A 驱动器和3.5A/2.5A 驱动器之间 MOSFET 和栅极驱动 IC 的功率损耗差异