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[参考译文] CSD19537Q3:CSD19537Q3热性能

Guru**** 2513185 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19537Q3, CSD19538Q2

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/943133/csd19537q3-csd19537q3-thermal

器件型号:CSD19537Q3
主题中讨论的其他器件: CSD19538Q2

大家好、

我的客户正在考虑使用 CSD19537Q3在数字输出模块中提供1A 输出电流。 在数据表中、为了实现所需的热性能(Rtheta JA = 55度 C/W)、所需的散热器面积为6.45cm.sq FR-4电路板。 客户 PCB 中可用的最大尺寸为6mm * 8mm、并且它们还可以在6层电路板上实现散热过孔。

 在此工作条件下、您可以计算温升、并建议在此 应用中使用 CSD19537Q3。

此致、Shinu Mathew。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Shinu Mathew、

    感谢您向客户推广 TI FET。 CSD19537Q3是否用于负载开关应用? 对于1A 直流电流、导通损耗仅为27mW。 该 FET 在此应用中是超性能的。 FET 将看到的最大电压是多少? 如果客户需要100V FET、则更小、成本更低的替代方案是采用2x2mm SON 封装的 CSD19538Q2。 估算的导通损耗为115mW。 温升将为0.115W x 65摄氏度/W = 7.5摄氏度。

    我将在下面添加指向我们的负载开关 FET 选择器工具的链接、以及一篇有关我们的每个 FET 封装通常可以耗散的功率的技术文章。