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器件型号：CSD88537ND 尊敬的 PIC：
我们的客户询问我们 NexFET 结构、您能告诉我以下问题。
如果 MOS FET 在接合焊盘下方有元件、下面是否有任何证据支持层间绝缘膜结构在粘合应力下的强度和可靠性？
-接合焊盘的铝层厚度足够大(参考3um)。
-粘 接焊盘下方提供了一种金属屏障、以降低粘接应力(例如：锡/ TI)。
-已确认即使在最恶劣的导线键合应力条件(超声波功率、负载、温度等)下、层间薄膜也不会出现裂缝。
-执行可靠性评估可以检测间歇性缺陷，如负载波动监控器。
此致、
