大家好、
客户按照数据表将 Cin 置于10:1的 Cout 中、如下所示。
但是、P1V05侧大约为600uF (SP_MLCC)、P1V05_VCCIO 的 CPU 侧大约为200uF MLCC。
客户担心 启动期间浪涌电流导致的 Vin 骤降、因此他将 CT 设置为10nF。
您能否帮助确认是否正常?
如果不是,您能否提供一些改进建议?
谢谢!
此致
里根
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大家好、
客户按照数据表将 Cin 置于10:1的 Cout 中、如下所示。
但是、P1V05侧大约为600uF (SP_MLCC)、P1V05_VCCIO 的 CPU 侧大约为200uF MLCC。
客户担心 启动期间浪涌电流导致的 Vin 骤降、因此他将 CT 设置为10nF。
您能否帮助确认是否正常?
如果不是,您能否提供一些改进建议?
谢谢!
此致
里根
你好,里根,
我看到这里的偏置电压是3.3V、而不是5V、因此下面的计算并不精确、但它是一个很好的情况表示。 偏置电压较低时、上升时间会稍慢、这会降低浪涌电流。
假设偏置电压为5V、浪涌电流将为 i=C*dv/dt
I = 600uF * 1.05/146.9us ->(来自数据表中的表1)
I = 4.288A
该浪涌电流对于器件而言是可以接受的、但可能会下拉电源。 在偏置电压为3.3V 时、我仍然希望浪涌电流超过3A、如果是低功耗电源、仍然可以将电源下拉。
缓解方法是测试系统、然后添加更多 CT 电容以进一步增加上升时间、从而使浪涌电流大幅降低。
你好,里根,
我们没有此引脚的最大 CT 值。 我们没有现成的大于10nF 的 CT 电容器数据。
使用较大的 CT 电容器将导致上升时间更慢、从而将浪涌钳位到可接受的水平、同时需要在较长的延迟和上升时间之间进行权衡。
如果电源 OCP 为30A、我相信电源相当强。 我认为可能会有一些轻微的骤降(这是自然的)、但该器件可接受4A 浪涌、因为其额定电流为10A 连续电流。 如果负载可以处理此浪涌、则无需对系统进行任何更改。