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[参考译文] LMG1020:具有用于 HB 的 SN6501偏置电源的 LMG1020

Guru**** 681440 points
Other Parts Discussed in Thread: SN6501, LMG1020, SN6505B, SN6505A, LMG1210, SN6505BEVM, SN6505AEVM
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/956289/lmg1020-lmg1020-with-sn6501-bias-supply-for-hb

器件型号:LMG1020
主题中讨论的其他器件:SN6501SN6505BSN6505ALMG1210SN6505BEVMSN6505AEVM

尊敬的*:

您能告诉我们是否可以将 SN6501连接到 LMG1020的 HB 的偏置电源而不是自举选项?

当 SN6501的次级侧变压器中心抽头连接到开关点时、应注意什么?

我们是否需要在变压器的初级侧和次级侧提供某种保护?

您是否有与此配置类似的应用示例?  

请参阅:

此外、SLUA669A 中只有一个方框图

在效率和最小解决方案尺寸(最小变压器)方面,您会推荐 SN6505A 或 SN6505B,而不是 SN6501吗?  

对于 LMG1020的 HB、我们是否还需要 SN6501解决方案输出端的 LDO?

如果 Vin 可以从4.2V 变为5.2、那么 Vout = 5V 时、合适的变压器比率和 LDO 选择是多少?

或者、如果我们允许输出也介于4.2至5.2之间以保持变压器比率1:1、那么 LDO 在其输出端输入端是否有 LDO?

此致、

David。

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    尊敬的 David:

    感谢您的联系。

    我假设您打算将 SN 器件与栅极驱动器 IC 配合使用、以便在高侧长时间运行、如果我错了、请纠正问题。

    我还假设、根据您所参考的原理图、LMG1210 (高侧低侧)而非 LMG1020 (低侧)。  

    话虽如此、您可以使用 SN6501 +变压器将驱动器 IC 的 HB-HS 保持在 UVLO 以上、以实现长/短占空比运行、在这种情况下、HB-HS 电容器将独立于低侧运行进行充电。  

    根据您的原理图、我还有其他意见:

    -变压器的初级侧应偏置掉 VDD (建议工作电压为5V),而不是 VIN (要求最大电压为6V 和18V)。

    - LDO 是可选的,在这种情况下,您只需将肖特基二极管附近的电容器连接到 HB-HS 即可。

    -考虑到 VHB-HS 不应超过5.25V 最大值、变压器比应为1:1

    SN6505x 版本可能也是很好的选择、前提是您提供额外的信号来驱动 EN 和 CLK 信号。

    此致、

    -Mamadou

      

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    尊敬的 Mamadou:

    是的、您是对的、我们使用 LMG1210驱动程序、我意外地编写了错误的器件型号。

    我们必须独立为引导电容器充电(在使用 SN6501时、它将始终充电) 由于我们使用的控制器在降压模式下具有某种专有方式为自举充电、在本例中、从控制器到 LMG1210输入的 HI/LI 信号始终处于高电平打开状态、LI 始终处于关闭状态、然后 LMG1210不会为自举充电。

    是的、您对 VIN 正确无误、我只会这样画、因为我们不使用 LMG1210的内部 LDO、然后 LMG1210的 VDD 与 LMG1210的 VIN 短接、而且该电源连接到 SN6501的 VCC 和变压器的中心抽头。

    VCC/VDD/VIN 的电源电压范围为4.85V 至5.15V ->因此、我们需要1:1变压器、而我们不需要 LDO 是这样吗?

    我们是否需要在变压器的初级侧和次级侧提供某种保护?

    您是否有与此配置类似的应用示例?  

    我们是否需要变压器初级侧与次级侧之间的电容器来实现 EMI?

    如果我们使用 SN6505x 的外部 CLK 来提高效率,那么我们如何选择合适的变压器?

    此致、
    David。

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    尊敬的 David:

    只要次级侧电压保持在预期的 HB-HS 额定值范围内、变压器的初级/次级侧可能不需要额外的保护。 为省去后顾之忧、您可以添加外部钳位二极管以防止 HB-HS 电压超过驱动器 IC 的绝对最大额定值、并在初级侧添加另一个钳位、以使 VCC 至 GND 也保持在绝对最大值范围内。

    目前、我们没有使用此配置的电路板(或示例应用)。

    如果 EMI 是一个问题、除了监控栅极电压和相应地更新栅极电阻外、您还可以在绕组两侧之间添加占位符电容、因为从栅极驱动器的角度来看、这将是 EMI 的主要来源。

    如果您打算使用 SN6505、只需将 CLK 接地、EN 连接到 VCC、并且为了了解有关变压器的建议、我已经检查了使用750315371 (适用于 SN6505BDBVR)和 750315240 (适用于 SN6505ADBVR)的 SN6505xEVM。

    此致、

    -Mamadou

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    您好、Mamadou、

    我看了 WI 变压器、它们都是1:1.1 (用于 TI 演示板 SN6505BEVM 和 SN6505AEVM)

    您建议在不使用 LDO 和变压器1:1的情况下使用控制器、您是否有针对1:1变压器的建议?

    此外、I-m 会测试两个 EVM、但我找不到 Vout 和 Vout_LDO 上允许的最大负载电流?

    此致、

    David。

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    大家好、David、

    我们的办公室目前在美国关闭 感恩节假期 马马马杜将于星期一作出答复。

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    尊敬的 David:

    我没有最近使用的特定1:1变压器、但只要输出电压在 Hb_HS 额定值内、1:1.1也应该正常。 您可能需要调整 SN6505 VCC 的初级侧电压、并确保该电压也处于建议的工作条件范围内。   

    对于有关 SN6505xEVM 的问题、请启动单独的主题(复制此主题以供参考)以联系相应的团队、因为我不是这些 EVM 的专家。

    此致、

    -Mamadou