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[参考译文] BQ77915:短路期间出现问题

Guru**** 2542420 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/959139/bq77915-problem-during-short-circuit

器件型号:BQ77915

您好!

我在短路期间面临 MOSFET 烧毁问题、请告知我 Rdsg、RGS 和 Rchg、RGS 的正确值、以了解随附的 MOSFET 详细信息。

我将在2个 BQ7791501的10S 配置中使用、总共使用4个 MOSFET、2个用于充电、2个用于并联放电。

之前一切都正常、但现在由于可用性问题、我们不得不更换 MOSFET。  

Rdsg=4.5k & RGS=10Mohm 是否正常?

Rchg=1k 与保护电路(并联1M 电阻的二极管)串联并且 RGS=3Mohm 是否正常?

在每个 MOSFET 栅极上也使用220E  

此外、使用 RLD=450k 时、

和2个100nF 串联电容器串联在 MOSFET 的源漏上。

请推荐所需的任何更改

还在感测电阻上使用 RC 滤波器。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Pankaj、

    遗憾的是、解决该问题的方法并不明显。  由于该设计在 FET 更改之前显然效果良好、因此它显然是一些 FET 特性。  您的组件值似乎正常、但新 FET 可能需要进行一些调整。  您可能需要多次测试才能找到困扰他们的问题、这可能非常令人沮丧。

    在短路时、FET 将发热、如果新 FET 上的 RDS on 更高、则会发热并可能面临风险。  当然、检查 FETsjl 的当前能力

    Ciss 将与上方的 RDSG (图片中为4.5k)一起设置关断。  对于新的 FET、您可能需要更快的关断速度。  

    快速关断会激发电池电感、并导致电池 PACK+和 PACK-短路上出现较大的电压上升。  FET 可能会进入雪崩模式、并且必须在发生这种情况时获取功率/能量。  有时、关断过快对系统而言是不利的、但过慢会使 FET 发热。   如果在 SCD 事件中 PACK+电压尖峰非常高、则开关速度可能过快、导致 FET 从雪崩能量中断开。 4.5k RDSG 可能需要更大。  如果在关断时没有电压尖峰 、则 FET 开关速度可能太慢、加热和燃烧速度太慢、4.5k RDSG 可能需要更小。  检查与 SCD 事件期间测量值相比的 FET 额定值。

    希望这有助于确定问题。