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器件型号：TPS24750 您好！
我将 CSD16570Q5BT 用作反向电压保护 FET。 我的应用是8V-1A、我需要在电子保险丝+FET 中具有最小的电阻。 该 MOSFET 具有10-15nF Ciss。 在开通期间、这不会影响我的压摆率、但只会略微延迟开通。 当 TPS24750完全增强 MOSFET (13-15Vgs)时、栅极电荷为~200-250nC。
数据表建议将至少1kOhm 的串联电阻连接到从 TPS栅 极引脚接地的任何外部压摆限制电容器。 我在该引脚上具有10nF-1kOhm。 但是、我看不到将串联电阻器连接到外部 MOSFET 栅极的建议。 在评估模块的原理图(TPS24750EVM-546)中、TI 也不使用串联栅极电阻器。 我知道该电阻器在关断情况下会限制 TPS24750上的电流应力。
- 为什么建议将串联电阻器连接到外部电容器、而不是用于该引脚上的其他容性负载、而后续 FET 也可能具有相当大的电容？ 我是否需要一个连接 到 CSD16570Q5BT 栅极的串联电阻器？
- 数据表建议在输入电压大于14V 的应用中使用 MOSFET"栅极钳位二极管"。 在8V 应用中、栅极电压可达到+23V。 我认为我不需要额外的钳位二极管、因为 TPS24750已经将 VCC 钳位到电压为13-15V 的栅极。 如果我的输入终止、则最大负载应力为8V。 您是否同意我不需要钳位二极管、因为我的应用低于14V、或者在硬短路情况下、MOSFET 的栅源极可能会看到+23V 应力？
此致、
Zeki
