您好!
我的客户使用 UCC5390来驱动 SiCFET、当输入为低电平时、UCC5390输出高电平的可能性很小、并导致 SiCFET 错误导通、他们看到以下要求:
但它们没有满足要求、UCC5390被放置在下面显示的第一层上:
在第三层和第四层、它们将位于 UCC5390下的平面。 这两个平面上的电流和电压会发生变化、dv/dt = 43V/ns、di/dt = 5A/ns。
他们想知道这会给栅极驱动器带来什么影响、UCC5390提供虚假高输出的可能性很小吗?
第三层
第四层
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您好!
我的客户使用 UCC5390来驱动 SiCFET、当输入为低电平时、UCC5390输出高电平的可能性很小、并导致 SiCFET 错误导通、他们看到以下要求:
但它们没有满足要求、UCC5390被放置在下面显示的第一层上:
在第三层和第四层、它们将位于 UCC5390下的平面。 这两个平面上的电流和电压会发生变化、dv/dt = 43V/ns、di/dt = 5A/ns。
他们想知道这会给栅极驱动器带来什么影响、UCC5390提供虚假高输出的可能性很小吗?
第三层
第四层
大家好、Howard、
让我们将此对话移至电子邮件。 是否可以将此主题标记为已解决?
回到原来的问题:我们为什么要让人们不要在零件下留下痕迹... 这不是因为它对我们的器件有负面影响、这是因为它会缩短您的有效爬电距离和间隙距离、从而降低隔离的有效性。 这对于安全应用需要增强型隔离的应用至关重要。 我不认为这是您的情况、因此应该可以、但我建议客户在下一个电路板修订版中解决此问题、以遵循高压最佳实践。
Don、
这不是因为它对我们的器件有负面影响、这是因为它会缩短您的有效爬电距离和间隙距离、从而降低隔离的有效性。
我不理解、我的知识是爬电距离和间隙仅与第一层上的铜有关。 另一层上的铜也会影响它吗? 您有什么材料可以帮助我理解它吗? 谢谢。
此外、如果您能分享一些材料来帮助我了解我昨天在同一个主题中询问的参数"隔离栅电容"、我不知道它将如何影响器件的行为以及它是否受温度影响、那将是很棒的。
Wei、
根据我在线搜索的文件、爬电测量 PCB 导体之间沿绝缘材料表面的最短距离。
因此、我的理解是、如果正确、爬电距离仅在 PCB 同一层(顶层和底层)上的两根铜之间、而不是在不同层上的铜之间。
电弧应与间隙相关、因为它是空气击穿、而不是爬电。
如果我错了、请纠正我的问题。
https://resources.altium.com/p/high-voltage-pcb-design-creepage-and-clearance-distance