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[参考译文] LM3481-FLYBACKEVM：二极管和 MOSFET 中的热性能

admin
Guru**** 2539500 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/907841/lm3481-flybackevm-thermal-in-diode-and-mosfet

器件型号：LM3481-FLYBACKEVM

大家好、

我们使用 EVM 进行测量、发现 MOSFET 和二极管上的温度过高。

我们是否可以使用并联 MOSFET 和二极管来实现电流共享？ (原理图中的 D1和 Q1) http://www.ti.com/lit/ug/snvu528/snvu528.pdf?&ts=1590145951132

您是否认为并联部件会导致过大的功率损耗？

此致、

罗伊

  • 0
    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Roy、

    您可以使用并联 MOSFET。  但是、我不建议使用并联二极管。 二极管正向压降电压具有负温度系数、具有较低 Vf 的二极管将首先导通、然后再加热并进一步降低 VR、从而使另一个二极管几乎没有导通的机会。  为了解决热问题、您可以考虑使用尺寸更大的肖特基二极管。  此外、还应考虑向 MOSFET 和二极管添加散热器。

    谢谢、

    应用工程学 Yohao Xi