主题中讨论的其他器件: INA301、 INA226
您好!
我需要您的支持、以便评估 INA3221相对于低输出摆幅具有1和10m Ω 分流电阻器@ 1V VBUS 的性能。
感应到的电流实际根据什么是分流不平衡?
非常感谢您的支持。
此致
GZ
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Giulio、您好!
感谢您考虑使用德州仪器。 当您说并联失衡时、您是指输入偏置电流吗? 根据数据表的图12、对于较高的共模电压而言、这一点更重要、尤其是在分流器和输入引脚之间具有较大容差的滤波电阻器时。
低输出摆幅。 这不是模拟输出器件、而是 I2C 输出、因此您不会有低输出摆幅限制(或者至少您不会有与分流相关的限制、而是通信线路)。 不过、存在输入摆幅限制。 或可解析的最小电流电平或感应电压。 该最小可解析电流的主要因素是分流 LSB 大小(40uV)和输入参考偏移电压。 在这两种情况下、失调电压(≤80uV)实际上可能高于 LSB 步长(典型值40uV)。 下面是我用于确定任一要求所施加的最小电流要求的计算。 对于偏移、我假设您可以接受10%的误差、这将在最低的测量中发现、并且随着电流的增加、误差会变得更好。 偏移误差(%/100)= Vos/Vsense 最小值= Vos/(Rshunt x IMIN)。
| rshunt (Ω) | 0.001. | 0.01. |
| Vos_max (V) | 8.00E-05 | 8.00E-05 |
| Vos 误差(%/100) | 0.1. | 0.1. |
| IMIN (A) | 800.0E-3. | 80.0E-3. |
表1:假设存在最差偏移、IMIN 为偏移误差的10%
| Rshun | 0.001. | 0.01. |
| LSB (V) | 40.0E-6. | 40.0E-6. |
| IMIN (A) | 40.0E-3. | 4.0E-3. |
表2:根据 LSB 的 IMIN、假设不存在误差源
谢谢 Patrick。
事实上、我实际上是指 INA3221的运算放大器。 正如我在 INA301 (https://e2e.ti.com/support/amplifiers/f/14/t/903660 )中看到的、正负输入之间需要几毫伏的不平衡、才能正确地取消运算放大器的平衡。 我猜类似的注意事项 也适用于 INA3221的输入级、我打算将其作为 为 器件的 ADC 馈送信号的模拟部件。
我提出的问题表明、我们在原型设计中评估独立解决方案(INA3221或类似的解决 方案、例如 INA226)本质缓慢、因为我们需要通过 I2C 提取转换后的数据、而不是具有电流感应功能的解决方案(如 INA301)+ MCU 的 ADC。
后者非常快、但在 低电流(低于1A)下确实存在压缩、如下图所示(请参阅前面我发布的链接)、此时输入电流范围为0至1A、RSense = 1m Ω。
除了 您之前的注意 事项外、我还想问您的是、INA3221输入模拟级是否存在相同的问题。
谢谢
G.
嗨、Giulio、
我怀疑运算放大器的摆幅至 GND 限制低于 Vos 产生的输出、但我将与我们的设计团队进行核实。 至于 Javier 为 CMRR 所做的一点、这也适用于此处、因为 Vos 实际上与 CMRR 相关。 在这种 ^下、在无实际负载的情况下测得的感测电压为(Vos + CMRR x (12-1V))/Rshunt =(80uV+(10 μ s (-110/20)) x (12-1V))= 115mA、在1Mohm 时为11.5mA (假设最大 Vos)。