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器件型号：LM5116 主题中讨论的其他器件：LM5146、 PMP11257、 LM5146-Q1
您好！
我担心高侧 MOSFET 导通时 SW 节点振铃。 我的输入电压为87V (绝对最大值)、但如果可能、我希望使用100VDS MOSFET。 因此、我需要仔细确保 SW 节点振铃非常有限。
数据表中确定的一种解决方法是使用高达2.2R 的栅极电阻器来降低高侧 MOSFET 驱动的速度。 但是、与拓扑几乎相同的 LM5146数据表相比、建议将相同的2.2R 与升压电容器串联。 第二个选项对我来说似乎更好、因为它会减慢导通速度而不是关闭速度、这似乎是一种更节能的方法。 你能提出建议吗？
此外、如果您可以解释栅极驱动器如何根据 LM5116数据表版本 SNVS499H 遇到负电压：
"在某些应用中、为了控制开关尖峰、可能需要减慢高侧 MOSFET 导通时间。 这可以通过在高侧栅极上添加一个与 HO 输出串联的电阻器来实现。 应 Ω 大于10k Ω 的值、以免干扰自适应栅极驱动器。 Ω 仔细评估为此功能使用 HB 电阻器的情况、以免对高侧驱动器造成潜在的有害负电压、并且通常限制为最大2.2 μ V "
有趣的是、TI 参考设计 PMP11257使用10R 电阻器、这似乎不符合上述数据表建议。
非常感谢、
Shane
