[参考译文] UCC24636：直流/直流转换器、反激式、80-160V 输入、120V 输出、1A、 WEBENCH

Jim、您好！

感谢您关注 UCC24636 SR 控制器(和 UCC28740反激式控制器)。

您是正确的；UCC24636不能直接由120V 电源供电。   100V MOSFET 也不能、也不能使用并联稳压器。 我怀疑 Webench 程序包含一些无法正确适应更高电压输出的限制。 我们必须纠正这种情况。

同时、UCC24636和并联稳压器(可能是 TL431或类似器)可由合适的低电压源局部偏置。 我建议该电源电压大约为10-12 V、以便为 SR FET 提供足够的栅极驱动。 它不需要非常精确、可以为 SR 控制器和并联稳压器提供偏置、并且可以通过多种方式生成。

最简单的方法是使用连接到 Vout 的高压晶体管(400V 额定值、最小值)的线性稳压器。 12V 齐纳二极管可调节 NPN 的基极(最低成本)或 MOSFET 的栅极(最低待机电流)、而发射器或源极连接到 VDD 和 RTL 顶部。 从 Vout 到齐纳二极管的电阻器提供足够的电流来获得12V 电压、但 NPN 在非饱和 β 下也需要一些基极电流。 本地偏置电压将是二极管压降或齐纳电压的 Vgs_th 降。

通过增加另一个2-3匝的次级绕组、可以在更高的复杂性下获得更低的偏置损耗。 二次侧绕组在整流和滤波后会反射~12V 电压、但它不会得到良好调节。 但是、这可能足以用于偏置。 如果您认为有必要并值得额外的复杂性和成本、则3圈可以对其进行后置调节。

对于较低的偏置电压、必须重新计算 RTL 的值。  I Estimate (10V-2V)/((120V-2V)/70K)= 4.7K。

SR MOSFET (最高可达120V + 160V/15*20 = 333V)不需要额定电流为100A。 非常粗略地说、在低压线路上、在~1.6A rms 电平时、1A 的平均输出将具有~4A 峰值。 额定功率小于200mR 的 MOSFET 将提供小于0.5W 的损耗。 RDS (ON)值越低、损耗当然也越低、但过低会导致收益递减以及以过高成本产生过多的偏置功率损耗。

注意：如果 PCB 布局电感导致一些导通/关断振荡、我还建议插入一个与主 FET (M1)栅极串联的阻尼电阻器。  可以添加一个0-R 占位符、并根据需要选择合适的值(通常为2-10R)。

此致、

Ulrich