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器件型号：CSD19532KTT 主题中讨论的其他器件： LM5114、 UCC27518
您好 TI 社区
我正在设计电池管理系统100V/100A、并计划使用 MOSFET CSD19532KTT。 我将 MOSFET 安装在 PCB 上、MOSFET 将放置在低侧。 请建议并联不需要 MOSFET。 还建议使用合适的低侧驱动器来开关 MOSFET。
提前感谢
您好 TI 社区
我正在设计电池管理系统100V/100A、并计划使用 MOSFET CSD19532KTT。 我将 MOSFET 安装在 PCB 上、MOSFET 将放置在低侧。 请建议并联不需要 MOSFET。 还建议使用合适的低侧驱动器来开关 MOSFET。
提前感谢
您好、Sandeep、
感谢您关注 TI FET。 首先、如果您要设计100V 的电压、则可能需要考虑更高的电压 FET、因为使用100V FET 时、您将没有针对瞬变或其他电压变化的裕度。 一般建议器件的绝对最大 VDS 额定值降额10%- 25%、以确保在所有条件下安全运行。 根据经验、D2PAK 的最大耗散功率约为4W、如以下链接中的博客所示。 考虑到这一点、我们可以计算传导100A 所需的并联 FET 数量、如下所示：
PD =(IDS) x (IDS) x Ron -> IDS = sqrt (PD/Ron)= sqrt (4W/(5.6m Ω x 2.1)= 18.4A、其中在 VGS = 10V 时、5.6m Ω 为 Ron 最大值、2.1为导通电阻的正温度系数(请参阅数据表中的图8)。
假设电流共享理想、则并联 FET 的数量可按如下方式计算：
FET 数量= 100A/18.4A = 5.42、这将并联最多圈6个 FET。
TI 拥有许多低侧驱动器 IC、包括 LM5114和 UCC27518 (该系列中的许多其他选项)。
您好、Sandeep、
下面是一个指向博客的链接、该博客介绍了我们如何在 FET 数据表中指定最大持续电流和功率耗散。 这些是根据热阻抗、最高结温、环境(或外壳)温度和 RDS (on)计算得出的数量。 我使用了类似的方法、假设 RthetaJA 在20C/W 左右、TJmax = 175C、Tamb= 100C。 PD =(TJmax - Tamb)/RthetaJA =(175-100)/20 = 3.75W、四舍五入到4W。 我做了一些额外的比较、这似乎是一个合理的估算、可以使用 D2PAK 封装实现良好的 PCB 布局。
TI FET 的最大 BVDSS 额定值为100V。 我们没有任何额定电压高于100V 的 FET。