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[参考译文] CSD19534Q5A:用于降低开关损耗和提高效率的 MOSFET 驱动器

Guru**** 1079480 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5176, LM5175, CSD19534Q5A, LM5114, UCC27511A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/902267/csd19534q5a-mosfet-driver-for-reducing-switching-losses-and-better-efficiency

器件型号:CSD19534Q5A
主题中讨论的其他器件:LM5176LM5175LM5114UCC27511ACSD

尊敬的*:

我想将 CSD19534Q5A 用作降压/升压转换器(LM5176 CCM 或 LM5175 DCM)中的低侧输出开关。

A)

我们是否需要在 LM517X LDRV2引脚和 CSD19534Q5A MOSFET 的栅极之间使用 MOSFET 驱动器? (LM517X 的最大 Fsw 为500kHz)

B)  

如果不需要驱动器但会降低开关损耗、在驱动器驱动电流能力方面选择驱动器的正确方法是什么?

C)  

 对于 CSD19534Q5A 的驱动电流、LM517X 的 FSW、Ciss 1000pF、Qg 17nC @ Gs=10V、可选择的合理驱动器上升时间和文件时间(ns)是多少?如何计算?

D)

驱动器的输出电压与驱动器电源(Vcc)有何关系? Vout= Vcc? 那么、如果 Vgs 需要10V、那么将驱动器的 VCC 设置为10V?

e)我们希望针对成本缺陷解决方案选择较新的驱动器 IC。

您是否会推荐以下 IC LM5114或 UCC27511A 之一?

此致。

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    尊敬的 David:

    感谢您的查询。 我为 MOSFET 提供支持、并且必须将您的问题发送给控制器应用团队。 我已检查、LM5175和 LM5176都集成了2A 栅极驱动器、足以驱动 CSD19534Q5A。

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    尊敬的 David:

    首先、感谢 John 对 FET 和 LM5175/76驱动器的评论。

    为什么在 LM5175/60V 的最大额定电压仅为100V 时选择100V FET?  您的 VIN 或 VOUT 是否接近100V?  如果是、您将必须使用外部驱动器、至少对于高侧 FET。  您还需要在驱动器之外添加一个小型外部电路、以支持100%占空比。

    其他问题的答案:

    c)对于任何驱动器和 MOSFET、上升和下降时间可通过以下公式进行估算:

    IDR_SOURCE * tr = Qg_TOTAL; of IDR_SINK * TF = Qg_TOTAL

    D) IC 的驱动器电压基本为 VCC、约为7.5V、其中8.5V 为其绝对最大额定值。 因此、不要将>8V 的电压施加到 LM5175/76的 VCC 上。  对于外部驱动器、请查看驱动器数据表。

    e)两者都可以工作、但让我将问题直接发送给我们的驱动团队、以获得他们的建议。

    我们希望查看您的最终原理图以进行完整性检查。 如果您不想在此处发帖、可以发送给我们的 TI 当地销售团队。  

    谢谢、

    应用工程学 Yohao Xi  

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    您好,Youhao,

    我建议使用 UCC27511A、因为它是一款最新、最优化的 IC、可驱动 CSD MOSFET 的17nC 栅极电荷。  

    4A/8A 驱动电流在很大程度上足以快速导通/关断栅极、从而实现漏极的快速上升。 UCC27511A 具有更宽的 VDD 工作范围、可为您提供足够的瞬态过压裕度。  

    在使用此 IC 时、请确保工作条件处于数据表中表7.3中指定的建议工作条件范围内。

    此致、

    -Mamadou