[参考译文] CSD19534Q5A：用于降低开关损耗和提高效率的 MOSFET 驱动器

尊敬的 David：

感谢您的查询。 我为 MOSFET 提供支持、并且必须将您的问题发送给控制器应用团队。 我已检查、LM5175和 LM5176都集成了2A 栅极驱动器、足以驱动 CSD19534Q5A。

尊敬的 David：

首先、感谢 John 对 FET 和 LM5175/76驱动器的评论。

为什么在 LM5175/60V 的最大额定电压仅为100V 时选择100V FET？  您的 VIN 或 VOUT 是否接近100V？  如果是、您将必须使用外部驱动器、至少对于高侧 FET。  您还需要在驱动器之外添加一个小型外部电路、以支持100%占空比。

其他问题的答案：

c)对于任何驱动器和 MOSFET、上升和下降时间可通过以下公式进行估算：

IDR_SOURCE * tr = Qg_TOTAL； of IDR_SINK * TF = Qg_TOTAL

D) IC 的驱动器电压基本为 VCC、约为7.5V、其中8.5V 为其绝对最大额定值。 因此、不要将>8V 的电压施加到 LM5175/76的 VCC 上。  对于外部驱动器、请查看驱动器数据表。

e)两者都可以工作、但让我将问题直接发送给我们的驱动团队、以获得他们的建议。

我们希望查看您的最终原理图以进行完整性检查。 如果您不想在此处发帖、可以发送给我们的 TI 当地销售团队。  

谢谢、

应用工程学 Yohao Xi