[参考译文] BQ76940：BQ76940数据表中低侧 MOSFET 驱动器电路中齐纳和下拉的重要性

您好、Rohit、

齐纳二极管有2个用途。  

首先、假设电池电压过低、充电过热、并施加的充电器大于 Q1的最大 Vgs、大于电池电压。  在这种情况下、将超过 FET 的最大 Vgs 限制、当 CHG 在电池在没有齐纳二极管的情况下冷却时开始升高时、FET 可能会损坏。  这将是 FET 导通和 Vgs 上升之间的竞争。  FET 专家推荐了齐纳二极管。

第二、假设您有一个50V 电池、该电池出现故障、并通过负载将 PACK-拉至 PACK+关断。   电池组电压将分布在 IC 内部的 R2、R1和 RCHG_OFF 之间。  CHG 引脚被钳位在18V 标称电压、因此如果匹配、其他32V 静态电压将分布在 R1和 R2上、每个电压为16V。  在开关电流产生的电感瞬态期间、电压可能会更高。 背靠背齐纳二极管可用于限制负 Vgs、但这会占用另一个分量。  允许单个齐纳二极管的 Vf 强制 R1上的电压可减少组件数。  

当 CHG 开始关断时、Q1的栅 极由 R2和 R1下拉。  一旦 Q3关闭、只有 R2下拉栅极并完成 Q1关断。  较大的 R2会在导通时降低静态电流、但会减慢关断速度。  较小的 R2更快地关闭 Q1、但需要更高的静态电流。 当您需要更快地关断时、您可能会考虑使用隔离式栅极驱动器(及其隔离式电源)或栅极上的钳位晶体管、无论是被动控制还是通过驱动器电路控制。 您需要在电流、复杂性和组件方面进行权衡。