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[参考译文] BQ76940:在低侧 MOSFET 中、由于电感负载、MOSFET 在关断状态下会出现高尖峰

Guru**** 2559780 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/901983/bq76940-in-low-side-mosfet-due-to-inducdtive-load-high-spike-appears-across-mosfets-in-off-condition-of-mosfets

器件型号:BQ76940

您好!

当我关闭低侧电路中的 MOSFET 时,由于电感负载的高尖峰200Vdc 大约出现在 MOSFET 上,其电压大约为100Vdc,如何抑制此类尖峰?

如果可能,请分享参考资料,这将大大帮助我加快生产速度,  

Internet 显示"负载突降 Crktry 和 Crow Bar 电路、但如果可能、我需要一些专家来回复来自德州的此查询。

如果消除了尖峰,则 MOSFET 将避免承受应力,MOSFET 故障的情况之一 也将被消除。

谢谢  

Rohit

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Rohit、

    本应用手册的第6节对 FET 电路进行了一些详细讨论、并介绍了高瞬态电压的情况: http://www.ti.com/lit/pdf/slua749 

    您的电路是否与应用手册中建议的电路类似?

    此致、

    Matt