我正在尝试研究 dv/dt 对 SiC MOSFET 误导通的影响。 我使用的是 TI 的 UCC21732栅极驱动器 IC。 首先、我将使用从 TI 网站下载的文件进行仿真、该网站具有一个 IGBT 来代替 MOSFET。 我的问题是、当我在500kHz 的开关频率下对直流总线电压= 100V 进行仿真时、(像500V 这样的较高直流总线不会在 PSpice 仿真中收敛)、我在顶部器件中遇到几毫伏的毛刺脉冲、 但在较低的器件中完全没有毛刺脉冲。 对于有源钳位 MOSFET 和无有源钳位 MOSFET 的情况都是如此。 我尝试从10V 变为50V 至100V、但我不会为下部器件获得任何具有 OUTH 和 OUTL 电阻值的电阻器。 这是我的电路和波形：-
尊敬的 Andy：
我尝试了一些建议。 我之前尝试过钳位和不钳位。 以下是我的新结果：-
1) 1)我似乎无法添加电感负载。 我使用与同步降压斩波器类似的方法进行了计算、但结果错误或只是陷入了49%的仿真中。 该错误似乎与仿真设置无关。 我认为这是因为 L1很大。 所以我尝试了不同的值、但它总是给我错误的答案。 请建议添加电感负载。 我连接了具有大 L1值的电路。
2) 2)在开关节点处没有电感负载的情况下、我尝试使用 IGBT 和 SiC MOSFET、虽然干扰不像我希望的那样高、但似乎有了一些改进。 我的结果如下所示：-
IGBT： 100kHz，全部 Rg = 2欧姆，直流总线= 100V：器件上的毛刺脉冲= 387.4mV，器件下的毛刺脉冲= 352mV [无钳位]
MOSFET：100kHz、所有 Rg = 2 Ω、直流总线= 100V：上毛刺脉冲= 332.1mV、下毛刺脉冲= 318mV [无钳位]
：上毛刺脉冲= 51.88mV，下毛刺脉冲= 50.1mV [钳位]
100kHz、较低器件 RG_OFF = 3欧姆、直流总线= 100V：高毛刺脉冲= 48.43mV [带钳位]
此时我的问题是、我无法将直流总线增加100V 以上、因为它不会在 PSpice 中收敛。 我也不能将 RG-OFF 更改为0.5欧姆。 我想改变外部栅极电阻、总线电压和开关频率、以研究米勒钳位效应。
这里是与第1点对应的图像：-
这里是与点2对应的电路
