• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 5 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 157 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ76952：低侧 FET 设计原理图

admin
Guru**** 2582405 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ76952, BQ76942, TINA-TI

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/938489/bq76952-schematic-for-low-side-fet-design

器件型号：BQ76952
主题中讨论的其他器件： BQ76942、 TINA-TI

您好！

我一直在尝试实现低侧 FET 开关、因为数据表中没有参考。

我遵循 了名为 "BQ76942/BQ76952电池监控器：FET 配置和电池平衡"的视频部分中的以下参考

和后续 线程

到目前为止、我已经创建了以下原理图、并且在验证过程中需要一些帮助：

我仍然需要计算无源值。

此致、

Anurag

  • 0
    TI__Guru**** 2582405 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Anurag、您好！

    您的另一个线程和图片表示您正在进行仿真。  TI 提供 TINA-TI 和 PSpice for TI 工具。  

    在您的电路中、SW1和 SW2应在12V 和 GND 之间切换、以更好地仿真驱动器的功能。  如果在其数据表中指明、您可以添加驱动器电阻。

    VS2应比 V1低约8.7V、以模拟 BQ76952的功能。  如果 您要在仿真中更改 V1的电压、您可能需要从 PACK+电压中引用 VS2。 由于 PCHG 和 PDSG 信号在关闭时为高阻抗、因此 SPST 开关适用于 SW3和 SW4。  

  • 0
    TI__Guru**** 2582405 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    感谢您的回答。 我使用 TINA-TI 进行仿真、因为 PSpice 不支持我的模型。

    我将在仿真时记下您的点。

    VS2应比 V1低约8.7V、以模拟 BQ76952的功能。 如果您要在仿真中更改 V1的电压、您可能需要从 PACK+电压中引用 VS2。



    这是否意味着、如果我的电池组电压为60V、那么我应该使用大约51.3V 来仿真 PCHG 和 PDSG。

    您能否告诉我、低侧或高侧对于 BMS 有什么优势？

    此致、

    Anurag

  • 0
    TI__Guru**** 2582405 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Anurag、您好！

    是的、对于上 PCHG 和 PDSG 的 GND 基准电压、使用比 V1低8.7V 的电压。  因此、对于60V、使用51.3V。  或者连接8.7V 电源以提供来自 V1的负电压、以便在您更改 V1时电压随 V1一起移动。

    使用高侧与低侧是设计选择。

    一种选择可能是使用您使用的 IC 直接支持的任何器件。

    高侧开关的一个原因是它允许从 BMS 进行简单的以 GND 为基准的通信和信号传输。

    低侧开关的一个原因是、N 沟道放电 FET 的控制电压和充电 FET 的导通电压均处于电池组的电压范围内。  如上图和原理图所示、您只需驱动栅极即可。  驱动大量低侧 FET 的难度应降低、但这可能会增加与需要隔离路径的电池通信的复杂性。

    产品的系统要求可能需要高侧或低侧开关(这是您的选择)、或者可能需要隔离式通信接口(这将很容易实现低侧开关)。

  • 0
    TI__Guru**** 2582405 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    感谢您的解释。

    是否有任何参考来计算上述电路的无源值？ 下图中的 RDSG、RCHG、RGSPD、RBoff、ROFF 等。

    PMOS FET 的用途是什么、视频说明它有助于 CHG FET 栅极下降。

    但是、如果其栅极始终接地、它如何能够控制任何东西。

    关于以下原理图：

    我将此曲线作为瞬态响应：

    尽管所有开关都关闭了、我的功耗为46A、我还缺少什么吗？

    此致、

    Anurag

  • 0
    TI__Guru**** 2582405 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Anurag、您好！

    通常、没有用于计算组件 RDSG、RCHG、RGSPD、RBoff、ROFF 的参考。

    RDSG 被选中以提供足够的关闭而不会太快。  您可以使用总 FET Ciss 计算关断时间、单位为10。  可能在几千欧范围内。

    RCHG 可能与 RDSG 类似

    RGSPD 选择要允许的静态电流大小、它将是一个带有 RCHG 的分压器、用于提供足够的栅极电压。   可能是几十千欧姆至 Mohm。

    RBoff 可能与 RGSPD 相似或更小、这会在导通时增加直流负载、在关断时下拉基极、PNP 将使基极电流增益。

    ROFF 将是关断充电 FET 的电阻、具有 PNP 的电流增益限制。 可能为100欧姆以上。

    对于组件值的意见各不相同、请选择可为您提供必要性能的选项。

    仿真可能比较复杂、有时模型会有问题。  我建议添加探头点或其他仪表来查找错误条件、然后找到修复方法。 根据可能的最高温度、这可能是初始条件或模型中的泄漏。  如果您对仿真有疑问、可以为 TINA-TI 发布问题。