[参考译文] BQ24171：ACFET 和 RBFET

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Other Parts Discussed in Thread: CSD17571Q2, CSD17313Q2, BQ24171

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/945449/bq24171-acfet-and-rbfet

器件型号：BQ24171
主题中讨论的其他器件：CSD17571Q2、 CSD17313Q2、

你(们)好
我有两个问题。

请告诉我如何选择 ACFET 和 RBFET。

此外、请告诉我们选择评估板中使用的 ACFET 和 BRFET 的原因。

请回答。

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 1818760 points

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你(们)好

我还有一个问题。
请告诉我们外设无源元件的相关信息。

请回答。

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 1818760 points

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您好！

对于外设无源元件：

https://e2e.ti.com/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/196/5140.BQ24133-BQ2417x_5F00_Schematic-Checklist_5F00_V1p0.pdf

对于 ACFET 和 RBFET：

选择 N 沟道功率 MOSFET 的原因是其低 RDSON ON ON 以及低 Qg 和 Qgd。任何具有相似 RDSON、Qg 和 Qgd 的 N 沟道功率 MOSFET 均可用于代替 CSD17313Q2、例如 CSD17571Q2。

我希望这可以解决您的问题、

Ricardo

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 1818760 points

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你(们)好

由于它是 BR24271、因此数据表中还包含 CGD。

我想知道 CGD 的解释。
如果可能、我还想知道相关的方程。

请告诉我。

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 1818760 points

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Hideki-San、

我不知道 BR24271是什么、您能否发送数据表链接？

C_GD 是栅极和漏极之间的电容。该电容和组合总栅极电容(C_G)必须充满电、MOSFET 才能导通。

其意义在于、ACDRV 上的电荷泵的限值为60uA。通过保持低栅极电容或栅极电荷、您可以缩短导通时间。

一些相关公式：

Q = I * t 且 Q = CV

我希望这可以解决您的问题、

Ricardo

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 1818760 points

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抱歉。它是 BQ24171而不是 BR24271。
我将再次向您提出问题。

BQ24171数据表的"10.2.5""输入 ACFET 和 RB FET"部分中还列出了 CGD。

请告诉我 CGD 的解释。
如果可能、我还想知道相关的方程

请告诉我。

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 1818760 points

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Hideki-San、

我现在理解您的担忧。外部 C_GD 和 C_GS 用于补充 MOSFET 的寄生电容。这些寄生电容会限制 MOSFET 的导通时间。为了进一步缩短 MOSFET 的导通时间、您可以使用额外的外部电容。

导通时间可计算为对 FET 的总栅极电容以及外部附加电容进行充电所需的时间。您知道栅极驱动电流(60uA)、您将知道所选 FET 的导通电压、您将知道 FET 的电容。考虑到所有这些因素、您可以估算导通时间。

我希望这可以解决您的问题、

Ricardo

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 1818760 points

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谢谢你。

我知道 CGD 和 CGS 用于设置外部 MOSFET 的导通时间。

以下是如何确定 CGD 和 CGS 值的信息吗？

CGS 大约是 MOSFET 的 CG 的10倍
CGD 约为 MOSFET CGD 的10倍

正确吗？

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 1818760 points

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Hideki-San、

这基本上是正确的、也是一个良好的起点。

我希望这可以解决您的问题、

Ricardo

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