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[参考译文] LMG1210:设计问题和原理图审阅

Guru**** 2524460 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/945471/lmg1210-design-questions-and-schematic-review

器件型号:LMG1210

尊敬的*:

您能否查看随附的原理图并回答以下问题?

e2e.ti.com/.../LMG1210.pdf

0) 0)请评论所附的原理图。

1) 1)我们能否将引脚1 (NC)连接到 VDD 或 VSS?

2) 2) IIM 中使用栅极驱动器、我们是否可以将 DLH 连接到 VDD、将 DHL 连接到 VDD?

3) 3)我们能否将引脚15和14连接到 HS?

4) 4)我们能否将引脚11连接到 HB 或 HO?

5) 5)对于200V 直流总线电压、选择 BST 二极管的正确方法是什么?对于 BST 二极管、所需的最小值是多少?

6) 6)在您的演示设计中、为什么您对 升压电容器使用馈通电容器? 我们能否将标准0603 BST 1U 电容器用于高达2MHz 的 FSW 和 BSC500N20NS3GATMA1 MOSFET?

7) 7)如何计算 VDD 引脚上的最小输入电容?

此致、

D.

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    1. NC 引脚没有内部连接,因此您可以将其悬空或从外部连接到 VSS。  

    2.对于 IIM、请参阅数据表的图16、其中 DHL 连接到 VSS (或悬空)、DLH 连接到 VDD。

    3、引脚14应连接到 HS、引脚15没有内部连接、因此我建议您将其保持悬空。  

    4、引脚11的注释相同、没有内部连接、我建议您保持悬空。

    5.自举二极管的额定电压应为>= 200V,并为 Vbus 变化和变化留出足够的裕度。  

    6.考虑到 FET 上的栅极电荷较低,您不需要1uF 的自举电容。 0.1 μ F 应该足够了。

    7. VDD 电容的大小应使 CVDD = 10*Cboot。  

    我建议您查看随附的有关确定引导电容器和去耦电容器大小的文档。

     您也可以使用我们的 LMG120EVM 作为参考。

    此致、

    -Mamadou

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    尊敬的 Mamadou:

    感谢您的反馈。

    1) 1)好的、我将引脚1连接到 VSS

    2) 2)在图16的上方、文本中显示 DHL 也可以连接到 Vdd 这是否是拼写错误?
    '对于独立输入模式、DLH 连接到 VDD、DHL 在内部设置为高阻抗、可连接到 VDD、接地或悬空。'

    3)好的

    4)好的

    5) 5)关于 BST 二极管、我恢复了您所连接的 EVM、它说该 EVM 专为100V 表1和第6页而设计、您选择 了 VR =100V 的 D1 A BAT46WJ、115、因此对于200V、 MBR2H200SFT1G 是一个不错的选择?

    6) 6)我使用了 DS page 17的计算表、得到821nF、因此我选择1uF

    输出电压 24 W
    输入电压 12.
    输出电压 200
    输出电流 0.12 A
    VDD 5.
    N 0.85
    D 0.949
    fsw 1350 kHz
    L 15.
    10. 常闭
    QRR 400 常闭
    IHB 0.00085 A
    7.03E-07 S
    dv 0.5.
    Cbst 822.195 NF

    7) 7)我将保留封装以进行调优。

    8) 8)对于 BST 串联电阻器、每个设计中是否都需要使用它、是否最好使用0402 0r 电阻器并对其进行调整?

    此致、

    D.

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    您好!

    2) 2)是的、假设您从 MCU 相应地在上设置死区时间、这是正确的。 DHL 可连接到 IIM 中的 VDD、VSS 或 GND。

    5) 5)没有、EVM 额定值限制为 Vbus = 100V、因为它使用100V FET、这是我们选择100V 自举二极管的原因。

    6) 6)有道理、我确认了您对最小引导电容器的计算。 1uF 电容在这种情况下似乎合理、我建议使用2个并联 ESR 电容、并将 VDD 电容设置为>=10uF 并联、以实现 HF 噪声滤波。

    8) 8)这是可选的、您可以只使用占位符0r。

    此致、

    -Mamadou