大家好、
我对 ISO5852S 有一些疑问。
1、为什么在 OUTH/OUTL 和 BJT 基极之间选择10欧姆电阻? 如何判断此处使用的电阻器值?
在数据表中、它指示 STO 程序禁用 OUTH 并在2us 的时间范围内将 OUTL 拉至低电平。
在软关断过程中、将终止130mA 内部 STO 电流源的因素有哪些? 例如、VGE 放电至 VEE2、软关断时间超过2us?
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大家好、
我对 ISO5852S 有一些疑问。
1、为什么在 OUTH/OUTL 和 BJT 基极之间选择10欧姆电阻? 如何判断此处使用的电阻器值?
在数据表中、它指示 STO 程序禁用 OUTH 并在2us 的时间范围内将 OUTL 拉至低电平。
在软关断过程中、将终止130mA 内部 STO 电流源的因素有哪些? 例如、VGE 放电至 VEE2、软关断时间超过2us?
Lena、感谢您的提问。
[引用用户="Lenna Yan]1. 为什么在 OUTH/OUTL 和 BJT 基极之间选择10 Ω 电阻器? 如何判断此处使用的电阻器值?
该电阻器值由设计人员所需的 BJT 基极电流确定、其本身可根据数据表中的 BJT 集电极电流和电流增益进行反向计算。 当然、这是到电源开关 IGBT/FET 的最终驱动电流。
在许多设计中、它们的值完全相同、甚至使用了单个电阻器、因为功率 BJT 是制造商作为"互补对"销售的、在下拉和上拉方面具有相同或相似的性能、 但使用 bjts 的"互补对"并不总是如此。
[引用用户="Lenna Yan"]
在数据表中、它指示 STO 程序禁用 OUTH 并在2us 的时间范围内将 OUTL 拉至低电平。
在软关断过程中、将终止130mA 内部 STO 电流源的因素有哪些? 例如、VGE 放电至 VEE2、软关断时间超过2us?
[/报价]
这是一个很好的问题! 老实说、数据表中的时序图和解释并不能很好地解释它。 对于每个 IGBT 或 FET、该2us 数字将不会相同。 它将取决于栅极电荷/栅极电容。
下面是软关断过程(请注意、对于毛刺脉冲滤波器、150ns 应替换为数据表中的330ns)
该过程基本上如下:
在满足 DESAT 的毛刺脉冲计时器之后、
禁用*输出
* STO 电流开始通过指定的 STO 电流对栅极放电
*一旦栅极电压降至 米勒钳位阈值(2.1V 以 VEE2为基准)、STO 电流端以及米勒钳位和 OUTL 都将栅极下拉。
因此、一旦栅极达到 VEE2以上2.1V、STO 电流就会停止、此时米勒钳位和 OUTL 都将栅极向下拉至 VEE2的其余部分。
因此、STO 电流的结束时间取决于栅极何时达到米勒钳位阈值、并且取决于客户系统中 FET 或 IGBT 的栅极电荷。 时序图报告了特定容性负载下的 t_desat10%。
希望这能解答您的问题。 如果您有任何疑问、请告诉我!
我已经从数据表中附加了一些电容器、并突出显示了相关的时序。