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器件型号：TPS51216-EP 主题中讨论的其他器件： TPS51116-EP、 TPS51216、 TPS51116、 TPS51716、 TPS51916
您好！
我正在考虑将 TPS51116-EP 或 TPS51216-EP 控制器用于 DDR3L 应用。 我需要一个在105°C 环境温度下工作的设计、并且空间有限。 此外、我还有严格的电压调节要求(VDDQ 为+-3%)。
我的问题是：
1)此类应用是否有更好的替代方案(我有12V 输入电压等)
2) 2)我的 VTT 输出必须在0.675V 时提供1A 电流。 TPS51116-EP 的热特性优于 TPS51216-EP (一个具有41.2°C/W RθJA、另一个具有94.1)。 如果使用 TPS51216-EP、我会对热管理产生担忧。 你推荐什么？
3) 3) 如果我实施 SLVA453应用手册中所述的纹波注入方法、能否将 TPS51216-EP 与全陶瓷输出电容器搭配使用？
4) 4)是否有公式来计算必要的输出电容、以满足基于 DCAP 的控制器的负载瞬态要求？
5) 5)我假设 TPS51116的 TINA 模型和-EP 编码器件的 TPS51216模型相同。 正确吗？
提前感谢。
