This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS22967:Cin 与 Cout

Guru**** 2539500 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS22967

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/917361/tps22967-cin-vs-cout

器件型号:TPS22967

您好、E2E、

在 TPS22967 DS 的第9.1.2节中、它指出:

由于 NMOS 开关中集成了体二极管、因此强烈建议使用大于 CL 的 CIN。 当系统电源被移除时、大于 CIN 的 CL 会导致 VOUT 超过 VIN。 这可能导致电流从 VOUT 流过体二极管并进入 VIN。 建议将 CIN 与 CL 的比率设置为10比1、以最大程度地减小启动期间浪涌电流导致的 VIN 骤降;但是、为了使器件正常运行、不需要10比1的电容。 小于10比1 (例如1比1)可能会在开通时因浪涌电流而导致 VIN 骤降略大。 可通过在较长的上升时间内增加 CT 引脚上的电容来缓解这种情况(请参阅下文)。

 

在我客户的应用中、他们使用的 Cin 为47uF、Cout 为22uF。  但是、FPGA 输入端还有一个额外的100uF + 47uF 的 Cout。  Cin > Cout 规格有多重要。  如果负载开关的输出与 FPGA 之间存在一定距离、这是否有助于减少对更多 Cin 的需求?  Cin 节点是否有22uF 的电容、Cout 是否有169uF 的电容?

谢谢!

Russell

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Russell、

    感谢您对 TPS22967的问题!

    建议的10:1电容器比率有助于在器件导通时、最大限度地减小由瞬态浪涌电流引起的 VIN 上的压降。 对于上述电容值、CIN = 47uF 且 CL = 169uF、需要考虑浪涌电流。 为了利用该电容比减小浪涌电流、建议在更长的上升时间内增加 CT 引脚上的电容。

    此外、QOD 的主要优势是当器件断电时、输出电压不会保持浮动、因为这会损坏下游负载。 TPS22967中的 QOD 功能将以受控方式快速关闭器件。

    如果您有任何有关 TPS22967的其他问题、请告诉我。

    此致、

    Rachel Richardson

    如果我的答复回答了您的问题、请单击 "此问题已解决" 按钮。 这可以帮助其他人验证是否找到了解决方案!