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器件型号：LM5060 您好！
当 GATE 引脚达到 VGS 阈值并且外部 MOSFET Q1A 和 Q1B 开始导通时、LM5060器件会在启动期间快速将栅极电压拉低。 这种情况反复发生、直到输出电容器充电至输入电压。 下面的第一个波形显示了这种行为、以下波形显示了 EN、OVP 和计时器永远不会达到栅极拉低的条件。
CH1 (黄色)是栅极电压-它充电至大约2.2伏、然后快速放电。
CH2 (蓝色)是输出电压。 输出电压最终达到输入电压(10V)。 侧注：对于较高的电压(~30V)、输出永远不会稳定。 
CH1：定时器引脚上的电压。 电压永远不会接近2V 阈值。 
CH1：OVP 引脚上的电压。 对于 OVP 触发、电压保持远低于1.6V 阈值。 
CH1：EN 引脚上的电压。 EN 保持在2V 使能阈值以上。 
由于没有记录的栅极拉低的原因、我怀疑栅极电压由于噪声耦合到 LM5060 电路而拉低。 我在高频噪声最可能的位置添加了电容：MOSFET 的源极引脚(下面的 C5)：
借助于这个额外的电容、源极引脚的转换率和相关的噪声被减少、并且栅极引脚不会拉低。 输出电容器按预期充电：
CH1：栅极引脚上的电压
CH2：输出电压 
在 Q1A 的 VDS 上添加电容器不是一个安全的解决方案：如果将30V 电源热插入器件、则源极节点将上升至30V、而栅极保持为0、并且将超过 VGS 最大值。 我也尝试了从源极到接地的电容-但这通过将更多噪声耦合到 LM5060使情况更糟。 这可能适用于巧妙的接地路径布局。
此噪声耦合和栅极引脚放电是否是 LM5060的已知问题？ 是否有任何其他方法可减少噪声耦合或消除此启动栅极放电的建议？
谢谢！
