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[参考译文] CSD17381F4：源极-栅极二极管规范

admin
Guru**** 2668435 points

Other Parts Discussed in Thread: CSD17381F4

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/912137/csd17381f4-source-gate-diode-specification

器件型号：CSD17381F4

大家好、

我的客户想要使用 CSD17381F4、但他想知道源极和栅极之间二极管的 IV 曲线。 我们有这些数据吗？

此外、他们还想知道 该芯片是否对焊接条件有特殊要求？

谢谢！

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    TI__Guru**** 2668435 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Gary、

    感谢您向客户推广 TI FET。 我找到了 G-S ESD 二极管的附加曲线。 这适用于25摄氏度下的典型器件。 请参阅 FemtoFET 表面贴装指南文档：

    e2e.ti.com/.../ESD_5F00_Diode.pdf

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    TI__Guru**** 2668435 points
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    尊敬的 John：

    感谢您的资料。

    客户现在需要对限制正向电流的4.7K 欧姆串联栅极-源极应用-0.6V 电阻。 我们的 ESD 二极管能否承受该电流？

    谢谢！

    Gary

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    TI__Guru**** 2668435 points
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    您好、Gary、

    感谢您提出问题。 这不应该是一个问题。 在1mA 和25摄氏度时、G-S ESD 二极管的正向压降通常约为0.74V。 我没有正向偏置特性(即 VGS < 0V)、但只有0.6V 时、电流将非常小、功率耗散也是如此。 最大持续栅极钳位电流指定为35mA、可将功率耗散限制为0.5W (齐纳电压为~14V)。