开关模式电源应用上的扩频通常侧重于降低开关频率下的传导射频能量、它首先是几个谐波-频率高达几兆赫兹。通过相应地改变开关频率和导通时间、它们可以通过移动峰值噪声而不是持续保持在同一频率、将来自开关频率及其前几个谐波的噪声传播到更宽的频带。它不能帮助处理开关节点谐振回路发出的极高频噪声、该噪声通常在50-200MHz 范围内。

为了减少开关节点寄生回路的辐射发射、有一些技术可用于减少谐振回路中的能量、或将该能量作为热量而不是 EM 辐射进行散热。

在 LDRV、HDRV、BOOT 和 SW 引脚之间以及它们在高侧和低侧 FET 上的相应网络之间添加电阻器。

EVM 仅具有默认为0欧姆的引导电阻器(R5)位置。如果需要、您可以将其提高到4.7欧姆。

在开关节点(高侧 FET 的源极和低侧 FET 的漏极)与 GND (低侧 FET 的源极)或 VIN (高侧 FET 的漏极)之间添加一个 R-C 缓冲器

EVM 的位置为 R7和 R12、但它们未组装在库存 EVM 上。

通过旋转 FET 或将 FET 置于 PCB 的任一侧来提高从高侧 FET 漏极到低侧 FET 源极的旁路阻抗。

直接在 C1、C2、C8和 C9下添加额外的输入或输出电容器。

在 Q1的漏极和 Q2源极之间添加一个10nF 0402旁路电容器、即使这意味着它们稍微分开。

您还可以考虑选择 TI 的双 FET 转换器之一、通过将 FET 堆叠到单个封装中来使 FET 本身更靠近并降低寄生效应；也可以选择我们的集成 FET 转换器之一、例如 TPS56121/TPS56221、它具有与 TPS40305相似的控制特性、或 TPS543B20 / TPS546C20A、后者将内部补偿高级电流模式控制架构与高电流集成式功率 FET 集成在一起。

电源管理（参考译文帖）

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[参考译文] TPS40305EVM-488：降低 EMI